La oblea SOI de 12 pulgadas de VET Energy es un material de sustrato semiconductor de alto rendimiento, muy apreciado por sus excelentes propiedades eléctricas y su estructura única. VET Energy utiliza procesos avanzados de fabricación de obleas SOI para garantizar que la oblea tenga una corriente de fuga extremadamente baja, alta velocidad y resistencia a la radiación, lo que proporciona una base sólida para sus circuitos integrados de alto rendimiento.
La línea de productos de VET Energy no se limita a las obleas SOI. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluidos Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., así como nuevos materiales semiconductores de banda prohibida amplia como óxido de galio Ga2O3 y AlN Wafer. Estos productos pueden satisfacer las necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, RF, sensores y otros campos.
Centrándonos en la excelencia, nuestras obleas SOI también utilizan materiales avanzados como óxido de galio Ga2O3, casetes y obleas de AlN para garantizar confiabilidad y eficiencia en todos los niveles operativos. Confíe en VET Energy para proporcionar soluciones de vanguardia que allanen el camino para el avance tecnológico.
Libere el potencial de su proyecto con el rendimiento superior de las obleas SOI de 12 pulgadas de VET Energy. Aumente sus capacidades de innovación con obleas que incorporan calidad, precisión e innovación, sentando las bases para el éxito en el dinámico campo de la tecnología de semiconductores. Elija VET Energy para obtener soluciones de obleas SOI premium que superen las expectativas.
ESPECIFICACIONES DE OBLEAS
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borde de oblea | biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP | ||||
Rugosidad de la superficie | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm | |||
Astillas de borde | Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm) | ||||
Sangrías | Ninguno permitido | ||||
Arañazos (Si-Cara) | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | ||
Grietas | Ninguno permitido | ||||
Exclusión de borde | 3mm |