Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) handelt es sich um ein Verfahren, bei dem durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches ein fester Film auf der Oberfläche eines Siliziumwafers angebracht wird. Dieses Verfahren kann in verschiedene Gerätemodelle unterteilt werden, die auf verschiedenen chemischen Reaktionsbedingungen wie Druck und Vorläufer basieren.
Für welches Verfahren werden diese beiden Geräte verwendet?PECVD-Geräte (Plasma Enhanced) werden häufig in Anwendungen wie OX, Nitrid, Metallelementen und amorphem Kohlenstoff eingesetzt. Andererseits wird LPCVD (Low Power) typischerweise für Nitrid, Poly und TEOS verwendet.
Was ist das Prinzip?Die PECVD-Technologie kombiniert Plasmaenergie und CVD durch Nutzung von Niedertemperaturplasma, um eine Frischentladung an der Kathode der Behandlungskammer zu induzieren. Dies ermöglichte die Kontrolle chemischer und plasmachemischer Reaktionen zur Bildung eines festen Films auf der Probenoberfläche. In ähnlicher Weise ist geplant, LPCVD bei reduziertem Druck des chemischen Reaktionsgases im Reaktor zu betreiben.
KI humanisieren: Der Einsatz von Humanize AI im Bereich der CVD-Technologie kann die Effizienz und Genauigkeit des Filmabscheidungsverfahrens erheblich verbessern. Durch die Nutzung des KI-Algorithmus können die Überwachung und Anpassung von Parametern wie Ionenparameter, Gasdurchflussrate, Temperatur und Filmdicke optimiert werden, um bessere Ergebnisse zu erzielen.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 24. Okt. 2024