Siliziumkarbid (SiC)Das Halbleitermaterial ist das ausgereifteste unter den entwickelten Halbleitern mit großer Bandlücke. SiC-Halbleitermaterialien haben aufgrund ihrer großen Bandlücke, ihres hohen elektrischen Durchbruchfelds, ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit, ihrer hohen Sättigungselektronenmobilität und ihrer geringeren Größe ein großes Anwendungspotenzial in Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Photoelektronik- und strahlungsbeständigen Geräten. Siliziumkarbid hat ein breites Anwendungsspektrum: Aufgrund seiner großen Bandlücke können daraus blaue Leuchtdioden oder Ultraviolettdetektoren hergestellt werden, die kaum vom Sonnenlicht beeinflusst werden. Da die Spannung oder das elektrische Feld achtmal toleriert werden kann als bei Silizium oder Galliumarsenid, eignet es sich besonders für die Herstellung von Hochspannungs-Hochleistungsgeräten wie Hochspannungsdioden, Leistungstrioden, siliziumgesteuerten Geräten und Hochleistungs-Mikrowellengeräten. Aufgrund der hohen Migrationsgeschwindigkeit der Sättigungselektronen kann es in eine Vielzahl von Hochfrequenzgeräten (HF und Mikrowelle) verarbeitet werden;Siliziumkarbidist ein guter Wärmeleiter und leitet Wärme besser als jedes andere Halbleitermaterial, wodurch Siliziumkarbid-Geräte bei hohen Temperaturen arbeiten.
Als konkretes Beispiel bereitet APEI derzeit die Entwicklung seines DC-Motorantriebssystems für extreme Umgebungen für den Venus Explorer (VISE) der NASA unter Verwendung von Siliziumkarbidkomponenten vor. Noch in der Entwurfsphase besteht das Ziel darin, Erkundungsroboter auf der Oberfläche der Venus zu landen.
Darüber hinaus, sSiliziumkarbidhat eine starke ionische kovalente Bindung, es hat eine hohe Härte, Wärmeleitfähigkeit gegenüber Kupfer, eine gute Wärmeableitungsleistung, eine sehr starke Korrosionsbeständigkeit, Strahlungsbeständigkeit, hohe Temperaturbeständigkeit und gute chemische Stabilität und andere Eigenschaften, hat ein breites Anwendungsspektrum in der Bereich der Luft- und Raumfahrttechnik. Zum Beispiel die Verwendung von Siliziumkarbidmaterialien zur Vorbereitung von Raumfahrzeugen für das Leben und Arbeiten von Astronauten und Forschern.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 01.08.2022