PSS Etch Carrier

Kort beskrivelse:

Oprindelsessted:Kina

Krystalstruktur:FCCβ fase

Tæthed:3,21 g/cm;

Hårdhed:2500 Vickers;

Kornstørrelse:2~10μm;

Kemisk renhed:99,99995%;

Varmekapacitet:640 J·kg-1·K-1;

Sublimeringstemperatur:2700 ℃;

Feleksural styrke:415 Mpa (RT 4-punkt);

Youngs modul:430 Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃);

Termisk udvidelse (CTE):4,5 10-6K-1;

Termisk ledningsevne:300（W/MK）;

Send e-mail til os Download som PDF

Produktdetaljer

Produkt Tags

Produktbeskrivelse

Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metode på overfladen af grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag.

Hovedtræk:

1. Høj temperatur oxidationsmodstand:

oxidationsmodstanden er stadig meget god, når temperaturen er så høj som 1600 C.

2. Høj renhed: Fremstillet ved kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.

3. Erosionsbestandighed: høj hårdhed, kompakt overflade, fine partikler.

4. Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning

SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99,99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (CTE)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300