Nyheder

Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?Ⅱ
af administrator den 24-05-22
De tekniske vanskeligheder ved stabilt at masseproducere højkvalitets siliciumcarbidskiver med stabil ydeevne omfatter: 1) Da krystaller skal vokse i et højtemperaturforseglet miljø over 2000°C, er temperaturkontrolkravene ekstremt høje; 2) Da siliciumcarbid har mere...
Læs mere
Hvad er de tekniske barrierer for siliciumcarbid?
af administrator den 24-05-22
Den første generation af halvledermaterialer er repræsenteret af traditionel silicium (Si) og germanium (Ge), som er grundlaget for fremstilling af integrerede kredsløb. De er meget udbredt i lavspændings-, lavfrekvente- og laveffekttransistorer og detektorer. Mere end 90 % af halvlederprodukter...
Læs mere
Hvordan laves SiC mikropulver?
af administrator den 24-05-13
SiC enkeltkrystal er et gruppe IV-IV sammensat halvledermateriale sammensat af to elementer, Si og C, i et støkiometrisk forhold på 1:1. Dens hårdhed er næst efter diamant. Kulstofreduktionen af siliciumoxidmetoden til fremstilling af SiC er hovedsageligt baseret på følgende kemiske reaktionsformel...
Læs mere
Hvordan hjælper epitaksiale lag halvlederenheder?
af administrator den 24-05-13
Oprindelsen af navnet epitaksial wafer Lad os først popularisere et lille koncept: wafer præparation omfatter to hovedled: substratforberedelse og epitaksial proces. Substratet er en wafer lavet af halvledende enkeltkrystalmateriale. Substratet kan direkte komme ind i wafer-fremstillingen...
Læs mere
Introduktion til kemisk dampaflejring (CVD) tyndfilmsdepositionsteknologi
af administrator den 24-05-06
Kemisk dampaflejring (CVD) er en vigtig tyndfilmaflejringsteknologi, der ofte bruges til at fremstille forskellige funktionelle film og tyndtlagsmaterialer, og er meget udbredt i halvlederfremstilling og andre områder. 1. Arbejdsprincip for CVD I CVD-processen er en gasprecursor (en eller flere...
Læs mere
Den "sorte guld"-hemmelighed bag den fotovoltaiske halvlederindustri: ønsket om og afhængighed af isostatisk grafit
af administrator den 24-05-06
Isostatisk grafit er et meget vigtigt materiale i fotovoltaik og halvledere. Med den hurtige stigning af indenlandske isostatiske grafitvirksomheder er udenlandske virksomheders monopol i Kina blevet brudt. Med kontinuerlig uafhængig forskning og udvikling og teknologiske gennembrud, ...
Læs mere
Afsløring af de væsentlige egenskaber ved grafitbåde i fremstilling af halvlederkeramik
af administrator den 24-04-22
Grafitbåde, også kendt som grafitbåde, spiller en afgørende rolle i de indviklede processer ved fremstilling af halvlederkeramik. Disse specialiserede beholdere tjener som pålidelige bærere for halvlederwafere under højtemperaturbehandlinger, hvilket sikrer præcis og kontrolleret behandling. Med...
Læs mere
Den indvendige struktur af ovnrørsudstyret er forklaret i detaljer
af administrator den 24-04-22
Som vist ovenfor, er en typisk Den første halvdel: Varmeelement (varmespiral): placeret rundt om ovnrøret, normalt lavet af modstandstråde, der bruges til at opvarme indersiden af ovnrøret. Kvartsrør: Kernen i en varm oxidationsovn, lavet af højrent kvarts, der kan modstå høje...
Læs mere
Effekter af SiC-substrat og epitaksiale materialer på MOSFET-enhedskarakteristika
af administrator den 24-04-16
Trekantede defekter Trekantede defekter er de mest fatale morfologiske defekter i SiC epitaksiale lag. Et stort antal litteraturrapporter har vist, at dannelsen af trekantede defekter er relateret til 3C-krystalformen. Men på grund af forskellige vækstmekanismer er morfologien af mange tr...
Læs mere