IC Single-Crystal Silicium Epitaxy

Produktbeskrivelse

Vores virksomhed leverer SiC-belægningsprocestjenester ved CVD-metode på overfladen af ​​grafit, keramik og andre materialer, således at specielle gasser, der indeholder kulstof og silicium, reagerer ved høj temperatur for at opnå høj renhed SiC-molekyler, molekyler aflejret på overfladen af ​​de belagte materialer, danner SIC-beskyttelseslag.

Hovedtræk:

1. Høj temperatur oxidationsmodstand:

oxidationsmodstanden er stadig meget god, når temperaturen er så høj som 1600 C.

2. Høj renhed: Fremstillet ved kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.

3. Erosionsbestandighed: høj hårdhed, kompakt overflade, fine partikler.

4. Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning