Den 6 tommer halvisolerende SiC-wafer fra VET Energy er en avanceret løsning til højeffekt- og højfrekvente applikationer, der tilbyder overlegen termisk ledningsevne og elektrisk isolering. Disse semi-isolerende wafere er essentielle i udviklingen af enheder såsom RF-forstærkere, strømafbrydere og andre højspændingskomponenter. VET Energy sikrer ensartet kvalitet og ydeevne, hvilket gør disse wafere ideelle til en bred vifte af halvlederfremstillingsprocesser.
Ud over deres fremragende isolerende egenskaber er disse SiC-wafere kompatible med en række forskellige materialer, herunder Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat og Epi-wafer, hvilket gør dem alsidige til forskellige typer fremstillingsprocesser. Desuden kan avancerede materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer bruges i kombination med disse SiC-wafere, hvilket giver endnu større fleksibilitet i elektroniske enheder med høj effekt. Waferne er designet til sømløs integration med industristandard håndteringssystemer som kassettesystemer, hvilket sikrer brugervenlighed i masseproduktionsmiljøer.
VET Energy tilbyder en omfattende portefølje af halvledersubstrater, herunder Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Vores mangfoldige produktlinje imødekommer behovene for forskellige elektroniske applikationer, fra kraftelektronik til RF og optoelektronik.
6 tommer semi-isolerende SiC wafer tilbyder flere fordele:
Høj gennembrudsspænding: SiC's brede båndgab muliggør højere gennembrudsspændinger, hvilket giver mulighed for mere kompakte og effektive strømenheder.
Højtemperaturdrift: SiC's fremragende varmeledningsevne muliggør drift ved højere temperaturer, hvilket forbedrer enhedens pålidelighed.
Lav on-modstand: SiC-enheder udviser lavere on-modstand, hvilket reducerer strømtab og forbedrer energieffektiviteten.
VET Energy tilbyder tilpassede SiC-wafere til at opfylde dine specifikke krav, herunder forskellige tykkelser, dopingniveauer og overfladefinish. Vores ekspertteam yder teknisk support og eftersalgsservice for at sikre din succes.
WAFERING SPECIFIKATIONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolut værdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Affasning |
OVERFLADE AFSLUTNING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Overfladefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overfladeruhed | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tilladt (længde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Indrykninger | Ingen tilladt | ||||
Ridser (Si-Face) | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | ||
Revner | Ingen tilladt | ||||
Kantudelukkelse | 3 mm |