Mae Cylch Gêr Graffit Gorchuddio SiC yn elfen allweddol a ddefnyddir mewn amrywiol brosesau gweithgynhyrchu lled-ddargludyddion. Rydym yn defnyddio ein technoleg patent i wneud y cludwr carbid silicon gyda phurdeb uchel iawn, unffurfiaeth cotio da a bywyd gwasanaeth rhagorol, yn ogystal ag ymwrthedd cemegol uchel ac eiddo sefydlogrwydd thermol.
VET Energy yw'r gwneuthurwr gwirioneddol o gynhyrchion graffit a charbid silicon wedi'u teilwra gyda thriniaeth arwyneb fel cotio SiC, cotio TaC, cotio carbon gwydrog, cotio carbon pyrolytig, ac ati, yn gallu cyflenwi gwahanol rannau wedi'u haddasu ar gyfer diwydiant lled-ddargludyddion a ffotofoltäig.
Daw ein tîm technegol o sefydliadau ymchwil domestig gorau, gall ddarparu atebion deunydd mwy proffesiynol i chi.
Rydym yn datblygu prosesau datblygedig yn barhaus i ddarparu deunyddiau mwy datblygedig, ac rydym wedi gweithio allan dechnoleg patent unigryw, a all wneud y bondio rhwng y cotio a'r swbstrad yn dynnach ac yn llai tebygol o ddatgysylltu.
Nodweddion ein cynnyrch:
1. ymwrthedd ocsideiddio tymheredd uchel hyd at 1700 ℃.
2. purdeb uchel ac unffurfiaeth thermol
3. ymwrthedd cyrydiad ardderchog: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.
4. Caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.
5. Bywyd gwasanaeth hirach a mwy gwydn
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Priodweddau ffisegol sylfaenol CVD SiCcotio | |
| 性质 / Eiddo | 典型数值 / Gwerth Nodweddiadol |
| 晶体结构 / Strwythur Grisial | FCC β cyfnod多晶,主要为（111）取向 |
| 密度 / Dwysedd | 3.21 g / cm³ |
| 硬度 / Caledwch | 2500 维氏硬度（500g llwyth） |
| 晶粒大小 / SiZe Grawn | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / Purdeb Cemegol | 99.99995% |
| 热容 / Gallu Gwres | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Tymheredd sychdarthiad | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Cryfder Hyblyg | 415 MPa RT 4-pwynt |
| 杨氏模量 / Modwlws Young | Tro 430 Gpa 4pt, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalDargludedd | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Ehangu Thermol (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
Croeso cynnes i chi ymweld â'n ffatri, gadewch i ni gael trafodaeth bellach!
