Cludwr etch PSS

Disgrifiad Byr:

Man Tarddiad:Tsieina

Strwythur grisial :Cyfnod FCCβ

Dwysedd :3.21 g/cm;

Caledwch :2500 o Vickers;

Maint grawn:2 ~ 10μm;

Purdeb Cemegol:99.99995%;

Cynhwysedd Gwres:640J·kg-1·K-1;

Tymheredd sychdarthiad:2700 ℃;

Cryfder Felexural:415 Mpa (RT 4-Pwynt);

Modwlws Young:430 Gpa (tro 4pt, 1300 ℃);

Ehangu Thermol (CTE):4.5 10-6K-1;

Dargludedd Thermol:300 （W/MK）;

Anfonwch e-bost atom Lawrlwythwch fel PDF

Manylion Cynnyrch

Tagiau Cynnyrch

Disgrifiad o'r Cynnyrch

Mae ein cwmni'n darparu gwasanaethau proses cotio SiC trwy ddull CVD ar wyneb graffit, cerameg a deunyddiau eraill, fel bod nwyon arbennig sy'n cynnwys carbon a silicon yn adweithio ar dymheredd uchel i gael moleciwlau SiC purdeb uchel, moleciwlau a adneuwyd ar wyneb y deunyddiau gorchuddio, ffurfio haen amddiffynnol SIC.

Prif nodweddion:

1. Gwrthiant ocsideiddio tymheredd uchel:

mae'r ymwrthedd ocsideiddio yn dal yn dda iawn pan fo'r tymheredd mor uchel â 1600 C.

2. purdeb uchel: wedi'i wneud gan ddyddodiad anwedd cemegol o dan gyflwr clorineiddio tymheredd uchel.

3. Gwrthiant erydiad: caledwch uchel, arwyneb cryno, gronynnau mân.

4. ymwrthedd cyrydiad: adweithyddion asid, alcali, halen ac organig.

Prif Fanylebau Gorchudd CVD-SIC

Priodweddau SiC-CVD
Strwythur grisial	FCC β cyfnod
Dwysedd	g/cm ³	3.21
Caledwch	Vickers caledwch	2500
Maint Grawn	μm	2 ~ 10
Purdeb Cemegol	%	99.99995
Cynhwysedd Gwres	J·kg-1 ·K-1	640
Tymheredd sublimation	℃	2700
Cryfder Felexural	MPa (RT 4-pwynt)	415
Modwlws Young	Gpa (tro 4pt, 1300 ℃)	430
Ehangu Thermol (CTE)	10-6K-1	4.5
Dargludedd thermol	(W/mK)	300