SiC povlak grafitové MOCVD nosiče plátků， grafitové susceptory proEpitaxe SiC,
Uhlík dodává susceptory, Grafitové epitaxní susceptory, Grafitové nosné substráty, Susceptor MOCVD, Epitaxe SiC, Susceptory plátků,

Mezi speciální výhody našich grafitových susceptorů potažených SiC patří extrémně vysoká čistota, homogenní povlak a vynikající životnost.Mají také vysokou chemickou odolnost a tepelnou stabilitu.

SiC povlak grafitového substrátu pro polovodičové aplikace vytváří součást s vynikající čistotou a odolností vůči oxidační atmosféře.
CVD SiC nebo CVI SiC se aplikuje na grafit jednoduchých nebo složitých konstrukčních dílů.Nátěr lze nanášet v různých tloušťkách a na velmi velké díly.

Funkce:
· Vynikající odolnost proti tepelným šokům
· Vynikající odolnost proti fyzickým nárazům
· Vynikající chemická odolnost
· Super vysoká čistota
· Dostupnost v komplexním tvaru
· Použitelné v oxidační atmosféře

Aplikace:

Typické vlastnosti základního grafitového materiálu:

Uhlík dodává susceptorya grafitové komponenty pro všechny současné epitaxní reaktory.Naše portfolio zahrnuje válcové susceptory pro aplikované a LPE jednotky, palačinkové susceptory pro LPE, CSD a Gemini jednotky a jednovrstvové susceptory pro aplikované a ASM jednotky. Spojením silných partnerství s předními výrobci OEM, znalostmi materiálů a výrobním know-how SGL nabízí optimální design pro vaši aplikaci.