CVD-SiCpovlak má vlastnosti jednotné struktury, kompaktního materiálu, vysoké teplotní odolnosti, odolnosti proti oxidaci, vysoké čistoty, odolnosti vůči kyselinám a zásadám a organického činidla, se stabilními fyzikálními a chemickými vlastnostmi.

Ve srovnání s vysoce čistými grafitovými materiály začíná grafit oxidovat při 400 °C, což způsobí ztrátu prášku v důsledku oxidace, což má za následek znečištění životního prostředí periferních zařízení a vakuových komor a zvýšení nečistot ve vysoce čistém prostředí.

Povlak SiC však může udržovat fyzikální a chemickou stabilitu při 1600 stupních, je široce používán v moderním průmyslu, zejména v polovodičovém průmyslu.

Naše společnost poskytuje služby procesu povlakování SiC metodou CVD na povrchu grafitu, keramiky a dalších materiálů tak, že speciální plyny obsahující uhlík a křemík reagují při vysoké teplotě za získání vysoce čistých molekul SiC, molekul usazených na povrchu povlakovaných materiálů, tvoří ochrannou vrstvu SIC.Vytvořený SIC je pevně spojen s grafitovou základnou, což dává grafitové základně speciální vlastnosti, díky čemuž je povrch grafitu kompaktní, bez pórovitosti, odolnost proti vysokým teplotám, odolnost proti korozi a odolnost proti oxidaci.

Hlavní rysy:

1. Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách:

odolnost proti oxidaci je stále velmi dobrá, když je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobena chemickou depozicí par za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

3. Odolnost proti erozi: vysoká tvrdost, kompaktní povrch, jemné částice.

4. Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

Hlavní specifikace povlaků CVD-SIC: