Monokrystalický 8palcový křemíkový plátek od VET Energy je špičkovým řešením pro výrobu polovodičů a elektronických zařízení. Tyto destičky nabízejí vynikající čistotu a krystalickou strukturu a jsou ideální pro vysoce výkonné aplikace ve fotovoltaickém i polovodičovém průmyslu. VET Energy zajišťuje, že každý plátek je pečlivě zpracován tak, aby splňoval nejvyšší standardy, a poskytuje vynikající jednotnost a hladkou povrchovou úpravu, které jsou nezbytné pro pokročilou výrobu elektronických zařízení.
Tyto monokrystalické 8palcové křemíkové destičky jsou kompatibilní s řadou materiálů, včetně Si Wafer, SiC Substrát, SOI Wafer, SiN Substrát, a jsou zvláště vhodné pro růst Epi Wafer. Jejich vynikající tepelná vodivost a elektrické vlastnosti z nich činí spolehlivou volbu pro vysoce účinnou výrobu. Tyto wafery jsou navíc navrženy tak, aby bezproblémově fungovaly s materiály, jako je oxid galia Ga2O3 a AlN Wafer, a nabízejí širokou škálu aplikací od výkonové elektroniky po RF zařízení. Destičky se také perfektně hodí do kazetových systémů pro velkoobjemová, automatizovaná výrobní prostředí.
Produktová řada VET Energy není omezena na křemíkové destičky. Poskytujeme také širokou škálu polovodičových substrátových materiálů, včetně SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, atd., stejně jako nové polovodičové materiály s širokým bandgapem, jako je Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Tyto produkty mohou uspokojit aplikační potřeby různých zákazníků v oblasti výkonové elektroniky, radiofrekvence, senzorů a dalších oborů.
VET Energy poskytuje zákazníkům přizpůsobená waferová řešení. Můžeme přizpůsobit destičky s různým měrným odporem, obsahem kyslíku, tloušťkou atd. podle specifických potřeb zákazníků. Kromě toho také poskytujeme profesionální technickou podporu a poprodejní servis, abychom zákazníkům pomohli vyřešit různé problémy, které se vyskytly během výrobního procesu.
SPECIFIKACE WAFEROVÁNÍ
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow(GF3YFCD) - Absolutní hodnota | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Okraj oplatky | Zkosení |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Oboustranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnost povrchu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Hranové čipy | Není povoleno (délka a šířka ≥0,5 mm) | ||||
Odrážky | Žádné Povoleno | ||||
Škrábance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | ||
Trhliny | Žádné Povoleno | ||||
Vyloučení okrajů | 3 mm |