VET Energy 12-palcový SOI wafer je vysoce výkonný polovodičový substrátový materiál, který je velmi oblíbený pro své vynikající elektrické vlastnosti a jedinečnou strukturu. VET Energy využívá pokročilé výrobní procesy SOI waferů, aby zajistily, že wafer má extrémně nízký svodový proud, vysokou rychlost a odolnost vůči záření, což poskytuje pevný základ pro vaše vysoce výkonné integrované obvody.
Produktová řada VET Energy se neomezuje pouze na SOI wafery. Poskytujeme také širokou škálu polovodičových substrátových materiálů, včetně Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer atd., stejně jako nové polovodičové materiály s širokým bandgapem, jako je Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Tyto produkty mohou splňovat aplikační potřeby různých zákazníků v oblasti výkonové elektroniky, RF, senzorů a dalších oborů.
Naše SOI wafery se zaměřením na dokonalost využívají také pokročilé materiály, jako je oxid gallia Ga2O3, kazety a AlN wafery, aby byla zajištěna spolehlivost a účinnost na každé provozní úrovni. Důvěřujte VET Energy, že poskytuje špičková řešení, která dláždí cestu technologickému pokroku.
Uvolněte potenciál svého projektu s vynikajícím výkonem 12palcových waferů SOI VET Energy. Zvyšte své inovační schopnosti pomocí waferů, které ztělesňují kvalitu, přesnost a inovaci a pokládají základ úspěchu v dynamické oblasti polovodičových technologií. Vyberte si VET Energy pro prémiová řešení SOI waferů, která předčí očekávání.
SPECIFIKACE WAFEROVÁNÍ
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
Bow(GF3YFCD) - Absolutní hodnota | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Okraj oplatky | Zkosení |
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-třída,n-Ps=n-typ Ps-třída,Sl=poloizolační
Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Povrchová úprava | Oboustranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
Drsnost povrchu | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Hranové čipy | Není povoleno (délka a šířka ≥0,5 mm) | ||||
Odrážky | Žádné Povoleno | ||||
Škrábance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | Množ.≤5, Kumulativní | ||
Trhliny | Žádné Povoleno | ||||
Vyloučení okrajů | 3 mm |