Carburo di silicio sinterizzato Sic crystal / wafer boat

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Breve descrizzione:

A nostra Barca di Cristalli / Wafer di Carburo di Siliciu Sinterizzato (SiC) hè stata progettata per a precisione in a fabricazione di semiconduttori. Cù stabilità termale eccezziunale, resistenza chimica è forza meccanica, sta barca assicura un trasportu sicuru è efficiente di cristalli è wafers attraversu prucessi à alta temperatura.

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Detail di u produttu

Tags di u produttu

U SinterizatuCarbure di Siliciu (SiC)cristallu/Barca di Waferhè cuncepitu per e richieste rigorose di l'industria di i semiconduttori è di a microelettronica. Fornisce una piattaforma sicura per a manipulazione di cristalli di siliciu è wafers durante u processu à alta temperatura, assicurendu chì a so integrità è a purezza sò manteni in tuttu.

Funzioni chjave

Eccellente stabilità termica: Capace di resistere à temperature sin'à 1600 °C, ideale per i prucessi chì necessitanu un cuntrollu termicu precisu.
Resistenza chimica superiore: Resistente à a maiò parte di i sustanzi chimichi è i gasi corrosivi, chì furnisce durabilità in ambienti di trasfurmazioni duri.
Forza Meccanica Robusta: Mantene l'integrità strutturale sottu un altu stress, riducendu a probabilità di deformazione o rottura.
Espansione termica minima: Cuncepitu per minimizzà u risicu di scossa termica è cracking, offre un rendimentu affidabile annantu à l'usu estendu.
Fabricazione di precisione: Creatu cù alta precisione per risponde à esigenze specifiche di prucessu è accoglie diverse dimensioni di cristalli è wafer.

Applicazioni

• Trattamentu di wafer Semiconductor

• manifattura LED

• Pruduzzione di cellula fotovoltaica

• Sistemi di depositu di vapore chimicu (CVD).

• Ricerca è sviluppu in a scienza materiale

烧结碳化硅物理特性 Proprietà fisiche diSinteressatuSiliconCarbide
性质 / Pruprietà	典型数值 / Valore tipicu
化学成分 / ChimicaCumpusizioni	SiC>95%, Si <5%
体积密度 / Densità Bulk	> 3,07 g/cm³
显气孔率/ Porosità apparente Porosità apparente	<0,1%
常温抗弯强度/ Modulu di rupture à 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Modulu di rupture à 1200℃	290MPa
硬度/ Durezza à 20 ℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Tenacità à a frattura à 20%	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Conduttività termica à 1200 ℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Espansione termica à 20-1200 ℃	4.51 × 10^-6/℃
最高工作温度/ Temperature max.working	1400 ℃
热震稳定性/ Resistenza di scossa termica à 1200 ℃	Bene

Perchè sceglite a nostra barca di cristalli / wafer di carburu di siliciu sinterizzatu (SiC)?

Sceglie u nostru SiC Crystal / Wafer Boat significa optà per affidabilità, efficienza è longevità. Ogni barca sottumette strette misure di cuntrollu di qualità per assicurà chì risponde à i più alti standard di l'industria. Stu pruduttu ùn solu aumenta a sicurezza è a produtividade di u vostru prucessu di fabricazione, ma ancu guarantisci a qualità consistente di i vostri cristalli di siliciu è wafers. Cù u nostru SiC Crystal/Wafer Boat, pudete confià in una soluzione chì sustene a vostra eccellenza operativa.