U SinterizatuCarbure di Siliciu (SiC)cristallu/Barca di Waferhè cuncepitu per e richieste rigorose di l'industria di i semiconduttori è di a microelettronica. Fornisce una piattaforma sicura per a manipulazione di cristalli di siliciu è wafers durante u processu à alta temperatura, assicurendu chì a so integrità è a purità sò manteni in tuttu.
Funzioni chjave
- Eccellente stabilità termica: Capace di resistere à temperature sin'à 1600 °C, ideale per i prucessi chì necessitanu un cuntrollu termicu precisu.
- Resistenza chimica superiore: Resistente à a maiò parte di i sustanzi chimichi è i gasi corrosivi, chì furnisce durabilità in ambienti di trasfurmazioni duri.
- Forza Meccanica Robusta: Mantene l'integrità strutturale sottu un altu stress, riducendu a probabilità di deformazione o rottura.
- Espansione termica minima: Cuncepitu per minimizzà u risicu di scossa termica è cracking, offre un rendimentu affidabile annantu à l'usu estendu.
- Fabricazione di precisione: Creatu cù alta precisione per risponde à esigenze specifiche di prucessu è accoglie diverse dimensioni di cristalli è wafer.
Applicazioni
• Trattamentu di wafer Semiconductor
• manifattura LED
• Pruduzzione di cellula fotovoltaica
• Sistemi di depositu di vapore chimicu (CVD).
• Ricerca è sviluppu in a scienza materiale
| 烧结碳化硅物理特性 Proprietà fisiche diSinteressatuSiliconCarbide | |
| 性质 / Pruprietà | 典型数值 / Valore tipicu |
| 化学成分 / ChimicaCumpusizioni | SiC>95%, Si <5% |
| 体积密度 / Densità Bulk | > 3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Porosità apparente Porosità apparente | <0,1% |
| 常温抗弯强度/ Modulu di rupture à 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度/ Modulu di rupture à 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Durezza à 20 ℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Tenacità à a frattura à 20% | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Conduttività termica à 1200 ℃ | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ Espansione termica à 20-1200 ℃ | 4.51 × 10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Temperature max.working | 1400 ℃ |
| 热震稳定性/ Resistenza di scossa termica à 1200 ℃ | Bene |
Perchè sceglite a nostra barca di cristalli / wafer di carburu di siliciu sinterizzatu (SiC)?
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