PSS Etch Carrier

Descrizione breve:

Locu d'origine:Cina

Struttura cristallina:Fase FCCβ

Densità:3,21 g/cm;

Durezza:2500 Vickers;

Grandezza di granu:2 ~ 10μm;

Purezza chimica:99,99995%;

Capacità di calore:640J·kg-1·K-1;

Temperatura di sublimazione:2700 ℃;

Forza Flessurale:415 Mpa (RT 4-Point);

Modulu di Young:430 Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃);

Dilatazione termica (CTE):4,5 10-6K-1;

Conduttività termica:300（W/MK）;

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Detail di u produttu

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Descrizzione di u produttu

A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC.

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

Specificazioni principali di CVD-SIC Coating

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	FCC phase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Grandezza di granu	μm	2 ~ 10
Purità chimica	%	99,99995
Capacità di calore	J·kg-1 ·K-1	640
Temperature di sublimazione	℃	2700
Forza Flessurale	MPa (RT à 4 points)	415
Modulu di u ghjovanu	Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃)	430
Dilatazione termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300