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Cumu i veiculi di l'energia nova ghjunghjenu u frenu assistitu da u vacuum? | Energia VET
da admin u 24-12-18
I veiculi d'energia novi ùn sò micca equipati di motori di carburante, allora cumu si ghjunghjenu u frenu assistitu da vacuum durante u frenu? I veiculi di l'energia novi ghjunghjenu principalmente l'assistenza di frenu per mezu di dui metudi: U primu metudu hè di utilizà un sistema di frenu di booster elettricu. Stu sistema usa un aspiratore elettricu ...
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Perchè usemu a cinta UV per i cubetti di wafer? | Energia VET
da admin u 24-12-16
Dopu chì l'ostia hà passatu u prucessu precedente, a preparazione di chip hè finita, è deve esse tagliata per separà i chips nantu à l'ostia, è infine imballata. U prucessu di taglio di wafer sceltu per wafers di diversi spessori hè ancu diversu: ▪ Wafers cù un spessore di più ...
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Wafer warpage, chì fà?
da admin u 24-12-16
In un certu prucessu di imballaggio, sò usati materiali di imballaggio cù diversi coefficienti di espansione termica. Durante u prucessu di imballaggio, l'ostia hè posta nantu à u sustrato di imballaggio, è dopu i passi di riscaldamentu è di rinfrescante sò realizati per cumpletà l'imballu. Tuttavia, a causa di a discrepanza trà ...
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Perchè a velocità di reazione di Si è NaOH hè più veloce di SiO2?
da admin u 24-12-10
Perchè a velocità di reazione di u silicuu è l'idrossidu di sodiu pò superà quella di l'idrossidu di siliciu pò esse analizata da i seguenti aspetti: Differenza in l'energia di u ligame chimicu ▪ Reazione di u silicu è l'idrossidu di sodiu: Quandu u silicuu reagisce cù l'idrossidu di sodiu, l'energia di ligame Si-Si trà silicone à...
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Perchè u siliciu hè cusì duru ma cusì fragile?
da admin u 24-12-10
U siliciu hè un cristallu atomicu, chì l'atomi sò cunnessi l'un à l'altru da ligami covalenti, chì formanu una struttura di rete spaziale. In questa struttura, i ligami covalenti trà l'atomi sò assai direzionali è anu una alta energia di ligame, chì face chì u siliciu mostra una alta durezza quandu resiste à e forze esterne ...
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Perchè i fianchi si curvanu durante l'incisione à secca?
da admin u 24-12-03
Non-uniformità di u bumbardamentu di ioni L'incisione secca hè di solitu un prucessu chì combina effetti fisichi è chimichi, in quale u bombardamentu di ioni hè un metudu di gravure fisicu impurtante. Durante u prucessu di incisione, l'angolo incidente è a distribuzione di l'energia di ioni pò esse irregolari. Se l'ione incide ...
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Introduzione à trè tecnulugia CVD cumuni
da admin u 24-12-03
A deposizione chimica di vapore (CVD) hè a tecnulugia più largamente usata in l'industria di i semiconduttori per u depositu di una varietà di materiali, cumprese una larga gamma di materiali insulanti, a maiò parte di i materiali metallici è i materiali di lega metallica. CVD hè una tecnulugia tradiziunale di preparazione di film sottile. U so principe...
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U diamante pò rimpiazzà altri dispositi semiconduttori d'alta putenza?
da admin u 24-11-25
Cum'è a basa di i dispositi elettronichi muderni, i materiali semiconduttori sò sottumessi à cambiamenti senza precedente. Oghje, u diamante mostra gradualmente u so grande potenziale cum'è un materiale semiconduttore di quarta generazione cù e so eccellenti proprietà elettriche è termiche è stabilità in condizioni estreme ...
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Chì ghjè u mecanismu di planarizazione di CMP?
da admin u 24-11-25
Dual-Damascene hè una tecnulugia di prucessu utilizata per fabricà interconnessioni metalliche in circuiti integrati. Hè un sviluppu ulteriore di u prucessu di Damascu. Formendu à traversu buchi è scanalature à u stessu tempu in u stessu passu di prucessu è empienduli di metallu, a fabricazione integrata di m...
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