Ultimi prudutti innovatori Bona lubricità è resistenza à l'usura Graphite Semiconductor

Descrizione breve:

Applicazione: Parti di semiconductor
Résistance (μΩ.m) : 8-10 Ohm
Porosità (%): 12% max
Locu d'origine: Zhejiang, Cina
Dimensioni Personalizatu
Taglia di guadagnà: <= 325 mesh
Certificatu: ISO 9001: 2015
Dimensione è forma: Personalizatu


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Ultimi prudutti innovatori Bona lubricità è resistenza à l'usura Graphite Semiconductor
Applicazione: Parti di semiconductor
Résistance (μΩ.m) : 8-10 Ohm
Porosità (%): 12% max
Locu d'origine: Zhejiang, Cina
Dimensioni Personalizatu
Taglia di guadagnà: <= 325 mesh
Certificatu: ISO 9001: 2015
Dimensione è forma: Personalizatu

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