Sic Ceramic Target Target di Sputtering in Carburo di Siliciu per u Rivestimentu, Sic rod, bastone di silicone per l'ingegneria meccanica

Descrizione breve:


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Aderendu à a teoria di "qualità, servizii, prestazioni è crescita", avemu ricevutu fiducia è elogi da u cumpratore domesticu è mundiale per u Certificatu IOS China 99.5%Sic Ceramic TargetTarget di Sputtering di Carburo di Siliciu per u Rivestimentu, I nostri obiettivi principali sò di furnisce i nostri clienti in u mondu sanu di bona qualità, prezzu competitivu, consegna soddisfatta è servizii eccellenti.
Aderendu à a teoria di "qualità, servizii, prestazioni è crescita", avemu ricevutu fiducia è elogi da u cumpratore domesticu è mundiale perCina Silicium Carbide Sputtering Target, Sic Ceramic Target, Avemu avà un sistema di cuntrollu di qualità strettu è cumpletu, chì assicura chì ogni pruduttu pò risponde à i bisogni di qualità di i clienti. Inoltre, tutti i nostri articuli sò stati rigorosamente inspeccionati prima di a spedizione.

Descrizzione di u produttu

Composite di carbone / carbone(in seguito denominata "C/C ou CFC”) hè un tipu di materiale cumpostu chì hè basatu annantu à u carbone è rinfurzatu da a fibra di carbone è i so prudutti (preforma di fibra di carbone). Hà l'inerzia di carbone è l'alta forza di fibra di carbone. Havi boni proprietà meccaniche, resistenza à u calore, resistenza à a corrosione, attritu damping è caratteristiche di conductività termale è elettrica.

CVD-SiCU revestimentu hà e caratteristiche di struttura uniforme, materiale compactu, resistenza à alta temperatura, resistenza à l'ossidazione, alta purità, resistenza à l'acidu è alcali è reagenti organici, cù proprietà fisiche è chimiche stabili.

In cunfrontu cù i materiali di grafite d'alta purezza, u grafitu cumencia à oxidize à 400C, chì pruvucarà una perdita di polvere per l'ossidazione, risultatu in a contaminazione ambientale à i dispositi periferichi è e camere di vacuum, è aumentanu impurità di l'ambiente di alta purezza.

Tuttavia, u revestimentu SiC pò mantene a stabilità fisica è chimica à 1600 gradi, hè largamente utilizatu in l'industria muderna, in particulare in l'industria di i semiconduttori.

A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC. U SIC furmatu hè fermamente ligatu à a basa di grafite, dendu a basa di grafite proprietà spiciali, facendu cusì a superficia di u grafite compactu, senza porosità, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è resistenza à l'ossidazione.

 Trattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafite

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

 

Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:

SiC-CVD

Densità

(g/cc)

3.21

Forza Flexural

(Mpa)

470

Espansione termale

(10-6/K)

4

Conduttività termica

(W/mK)

300

Imàghjini detallati

Trattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafite

L'infurmazione di a Cumpagnia

111

Attrezzature di fabbrica

222

Magazzinu

333

Certificazioni

Certificazioni 22

 


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