Carburo di Siliciu di bona qualità RBSIC / SISIC Cantilever Paddle Adupratu in l'Industria Solare Fotovoltaica

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Breve descrizzione:

Vantaggi speciali di i nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu omogeneu è una vita utile eccellente. Hanu ancu una alta resistenza chimica è proprietà di stabilità termale.

Mantenemu tolleranze assai strette quandu applicà u revestimentu SiC, utilizendu machining d'alta precisione per assicurà un prufilu susceptor uniforme. Producemu ancu materiali cù proprietà di resistenza elettrica ideali per l'usu in sistemi di riscaldamentu induttivu. Tutti i cumpunenti finiti venenu cù un certificatu di purezza è cumplimentu dimensionale.

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Strumenti bè gestiti, equipaggiu di prufitti espertu, è prudutti è servizii di post-vendita assai megliu; Avemu statu ancu un maritu maiò unificatu è i zitelli, ogni persona aderisce à u benefiziu di a cumpagnia "unificazione, dedizione, tolleranza" per Good quality Silicon Carbide RBSIC / SISIC Cantilever Paddle Adupratu in Solar Photovoltaic Industry, We sincerely welcome the two stranieri è domestici cumpagnie di l'imprese di l'affari, è spergu di operà cun voi in u vicinu à longu andà!
Strumenti bè gestiti, equipaggiu di prufitti espertu, è prudutti è servizii di post-vendita assai megliu; Avemu statu ancu un maritu maiò è i zitelli unificati, ogni persona si ferma à u benefiziu di a cumpagnia "unificazione, dedicazione, tolleranza" perForno di ceramica e ceramica refrattaria di Cina, Per risponde à i bisogni di i clienti particulari per ogni serviziu di serviziu più perfettu è articuli di qualità stabile. Accogliamu un cordiale i clienti in u mondu à visità noi, cù a nostra cuuperazione multi-faceted, è sviluppà inseme novi mercati, creanu un futuru brillanti!

Rivestimentu SiC / rivestitu di sustrato di Grafite per Semiconductor

I suscettori mantenenu è riscaldanu wafers di semiconduttori durante u processu termale. Un susceptor hè fattu di un materiale chì assorbe l'energia per induzione, cunduzzione è / o radiazione è riscalda a wafer. A so resistenza à u scossa termale, a conduttività termale è a purezza sò critichi per u processu termale rapidu (RTP). U grafite rivestitu di carburu di siliciu, u carburu di siliciu (SiC) è u siliciu (Si) sò cumunimenti usati per i suscettori secondu l'ambiente termale è chimicu specificu. PureSiC® CVD SiC è ClearCarbon ™ materiale ultra-puru chì furnisce una stabilità termica superiore, resistenza à a corrosione è durabilità.

Descrizzione di u produttu

U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi. U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.

Rivestimentu SiC / rivestitu di sustrato di Grafite per Semiconductor

A ceramica tecnica hè una scelta naturali per l'applicazioni di trattamentu termale di semiconductor cumpresi RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusione, oxidation, and annealing. CoorsTek furnisce cumpunenti di materiali avanzati specificamente cuncepiti per resistere à scossa termale cù prestazioni di alta purezza, robusta, ripetibile per alta temperatura.

Features:
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
· Usable sottu à l'atmosfera ossidante

applicazione:

Una wafer hà bisognu di passà per parechji passi prima di esse pronta per l'usu in i dispositi elettronici. Un prucessu impurtante hè l'epitassia di siliciu, in quale i wafers sò purtati nantu à i susceptori di grafite. E proprietà è a qualità di i suscettori anu un effettu cruciale nantu à a qualità di a capa epitaxiale di l'ostia.

Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:

Densità apparente:	1,85 g/cm3
Resistività elettrica:	11 μΩm
Forza a flessione:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Durezza Shore:	58
Ash:	< 5 ppm
Conduttività termica:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)