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Rivestimentu SiC / rivestitu di sustrato di Grafite per Semiconductor I suscettori mantenenu è riscaldanu wafers di semiconduttori durante u processu termale. Un susceptor hè fattu di un materiale chì assorbe l'energia per induzione, cunduzzione è / o radiazione è riscalda a wafer. A so resistenza à u scossa termale, a conduttività termale è a purezza sò critichi per u processu termale rapidu (RTP). U grafite rivestitu di carburu di siliciu, u carburu di siliciu (SiC) è u siliciu (Si) sò cumunimenti usati per i suscettori secondu l'ambiente termale è chimicu specificu. PureSiC® CVD SiC è ClearCarbon ™ materiale ultra-puru chì furnisce una stabilità termica superiore, resistenza à a corrosione è durabilità. Descrizzione di u produttu
U revestimentu SiC di sustrato di Grafite per l'applicazioni Semiconductor produce una parte cun purezza superiore è resistenza à l'atmosfera ossidanti.
CVD SiC o CVI SiC hè appiicatu à Grafite di parti di design simplici o cumplessi. U rivestimentu pò esse applicatu in varii grossi è à parti assai grandi.
A ceramica tecnica hè una scelta naturali per l'applicazioni di trattamentu termale di semiconductor cumpresi RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusione, oxidation, and annealing. CoorsTek furnisce cumpunenti di materiale avanzati specificamente pensati per resiste à scossa termica cù prestazioni di alta purezza, robusta, ripetibile per alta temperatura.
Features:
· Eccellente Resistenza à u Shock Thermal
· Eccellente resistenza fisica à u scossa
· Eccellente resistenza chimica
· Super High Purity
· Disponibilità in forma cumplessa
· Usable sottu à l'atmosfera ossidante
applicazione:
Una wafer hà bisognu di passà per parechji passi prima di esse pronta per l'usu in i dispositi elettronici. Un prucessu impurtante hè l'epitassia di siliciu, in quale i wafers sò purtati nantu à i susceptori di grafite. E proprietà è a qualità di i suscettori anu un effettu cruciale nantu à a qualità di a capa epitaxiale di l'ostia.
Proprietà tipiche di u materiale di grafite di basa:
| Densità apparente: | 1,85 g/cm3 |
| Resistività elettrica: | 11 μΩm |
| Forza a flessione: | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Durezza Shore: | 58 |
| Ash: | < 5 ppm |
| Conduttività termica: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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