Fabbrica direttamente China Green Sic Silicon Carbide Powder JIS Standard

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I nostri beni sò largamente ricunnisciuti è affidabili da l'utilizatori è ponu risponde à cambià in modu coerente e dumande finanziarie è suciale di Factory direttamente China GreenSicSilicon Carbide Powder JIS Standard, Dunque, pudemu scuntrà cù diverse dumande da diverse clientele. Assicuratevi di ottene a nostra pagina web per verificà assai più informazioni è fatti da i nostri prudutti.
I nostri beni sò largamente ricunnisciuti è affidabili da l'utilizatori è ponu risponde à e dumande finanziarie è suciali cambiate constantementeCina Carbure di Siliciu, Sic, A nostra cumpagnia sempre impegnata à risponde à a vostra dumanda di qualità, punti di prezzu è u scopu di vendita. Un cordiale benvenutu vi apre i cunfini di a cumunicazione. Hè u nostru grande piacè di u serviziu si avete bisognu di un fornitore di fiducia è infurmazione di valore.

Descrizzione di u produttu

Composite di carbone / carbone(in seguito denominata "C/C ou CFC”) hè un tipu di materiale cumpostu chì hè basatu annantu à u carbone è rinfurzatu da a fibra di carbone è i so prudutti (preforma di fibra di carbone). Hà l'inerzia di carbone è l'alta forza di fibra di carbone. Havi boni proprietà meccaniche, resistenza à u calore, resistenza à a corrosione, attritu damping è caratteristiche di cunduttività termica è elettrica.

CVD-SiCU revestimentu hà e caratteristiche di struttura uniforme, materiale compactu, resistenza à alta temperatura, resistenza à l'ossidazione, alta purità, resistenza à l'acidu è alcali è reagenti organici, cù proprietà fisiche è chimiche stabili.

In cunfrontu cù i materiali di grafite d'alta purezza, u grafitu cumencia à oxidize à 400C, chì pruvucarà una perdita di polvere per l'ossidazione, risultatu in a contaminazione ambientale à i dispositi periferichi è e camere di vacuum, è aumentanu impurità di l'ambiente di alta purezza.

Tuttavia, u revestimentu SiC pò mantene a stabilità fisica è chimica à 1600 gradi, hè largamente utilizatu in l'industria muderna, in particulare in l'industria di i semiconduttori.

A nostra cumpagnia furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, perchè i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC. U SIC furmatu hè fermamente ligatu à a basa di grafite, dendu a basa di grafite proprietà spiciali, facendu cusì a superficia di u grafite compactu, senza porosità, resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione è resistenza à l'ossidazione.

 Trattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafite

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

 

Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:

SiC-CVD

Densità

(g/cc)

3.21

Forza Flexural

(Mpa)

470

Espansione termale

(10-6/K)

4

Conduttività termica

(W/mK)

300

Imàghjini detallati

Trattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafiteTrattamentu di rivestimentu SiC nantu à i suscettori MOCVD di a superficia di grafite

Informazioni di Cumpagnia

111

Attrezzature di fabbrica

222

Magazzinu

333

Certificazioni

Certificazioni 22

 


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