Suporta sa PECVD Graphite Wafer

Ang PECVD Graphite Wafer Support Featured Image

Mubo nga Deskripsyon:

Gidisenyo alang sa katukma ug pasundayag, ang Graphite Wafer Support sa VET Energy mao ang sulundon nga materyal nga gamiton sa advanced nga pagproseso sa wafer, diin ang taas nga kalig-on sa thermal ug makanunayon nga pasundayag hinungdanon. Kung nagtrabaho ka sa mga semiconductor wafer o uban pang mga delikado nga substrate, kini nga taas nga kalidad nga suporta sa graphite makapauswag sa imong pagkakasaligan sa proseso ug kalidad sa produkto, nga himuon kini usa ka kinahanglanon nga sangkap alang sa modernong paghimo.

Ipadala ang email kanamo I-download isip PDF

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Ang VET Energy PECVD nga proseso sa graphite wafer nga suporta usa ka kinauyokan nga magamit nga gidisenyo alang sa PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) nga proseso. Kini nga produkto gihimo sa high-purity, high-density graphite nga materyal, nga adunay maayo kaayo nga taas nga temperatura nga pagsukol, pagbatok sa corrosion, dimensional nga kalig-on ug uban pang mga kinaiya, makahatag og usa ka lig-on nga plataporma sa suporta alang sa proseso sa PECVD, aron maseguro ang pagkaparehas ug flatness sa deposition sa pelikula.

Ang "grafite nga suporta" nga disenyo sa VET Energy graphite wafer nga suporta dili lamang epektibo nga makasuporta sa wafer, apan makahatag usab og thermal stability sa taas nga temperatura ug taas nga presyur nga PECVD nga palibot aron masiguro ang kalig-on sa proseso.

Ang VET Energy PECVD nga proseso sa graphite wafer nga suporta adunay mga mosunod nga mga kinaiya:

▪Taas nga kaputli:hilabihan ka ubos nga kahugawan sulod, paglikay sa kontaminasyon sa pelikula, aron sa pagsiguro sa kalidad sa pelikula.

▪Taas nga Densidad:taas nga densidad, taas nga mekanikal nga kusog, makasugakod sa taas nga temperatura ug taas nga presyur nga palibot sa PECVD.

▪Maayo nga dimensional nga kalig-on:gagmay nga mga pagbag-o sa dimensyon sa taas nga temperatura aron masiguro ang kalig-on sa proseso.

▪Maayo kaayo nga thermal conductivity:epektibo nga pagbalhin sa kainit aron malikayan ang sobrang kainit sa wafer.

▪Kusog nga pagsukol sa kaagnasan:Makasukol sa erosion pinaagi sa nagkalain-laing corrosive gas ug plasma.

▪Custom nga serbisyo:Ang mga lamesa sa suporta sa graphite nga lainlain ang gidak-on ug porma mahimong ipasibo sumala sa mga panginahanglanon sa kustomer.

Graphite nga materyal gikan sa SGL:

Kasagaran nga parameter: R6510
Index	Sumbanan sa pagsulay	Bili	Unit
Average nga gidak-on sa lugas	ISO 13320	10	μm
Bulk Densidad	DIN IEC 60413/204	1.83	g/cm³
Bukas nga porosity	DIN66133	10	%
Medium pore size	DIN66133	1.8	μm
Pagkamatag	DIN 51935	0.06	cm²/s
Ang katig-a sa Rockwell HR5/100	DIN IEC60413/303	90	HR
Piho nga electrical resistivity	DIN IEC 60413/402	13	μΩm
Flexural nga kusog	DIN IEC 60413/501	60	MPa
Compressive nga kusog	DIN 51910	130	MPa
Modulus ni Young	DIN 51915	11.5×10³	MPa
Thermal pagpalapad (20-200 ℃)	DIN 51909	4.2X10^-6	K^-1
Thermal conductivity (20 ℃)	DIN 51908	105	Wm^-1K^-1

Kini espesipikong gidisenyo alang sa high-efficiency solar cell manufacturing, pagsuporta sa G12 dako-dako nga wafer pagproseso. Ang na-optimize nga disenyo sa carrier hinungdanon nga nagdugang sa throughput, nga nagpaarang sa mas taas nga rate sa ani ug mubu nga gasto sa produksiyon.

butang	Type	Numero nga wafer carrier
PEVCD Grephite boat - Ang 156 nga serye	156-13 grephite nga sakayan	144
	156-19 grephite nga sakayan	216
	156-21 grephite nga sakayan	240
	156-23 graphite nga sakayan	308
PEVCD Grephite boat - Ang 125 nga serye	125-15 grephite nga sakayan	196
	125-19 grephite nga sakayan	252
	125-21 graphite nga sakayan	280