Barrel Susceptor Para sa Liquid Phase Epitaxy LPE

Barrel susceptor alang sa liquid phase epitaxy LPE

EPI (Epitaxy)usa ka kritikal nga proseso sa paghimo sa mga advanced semiconductors. Naglangkob kini sa pagbutang sa nipis nga mga lut-od sa materyal sa usa ka substrate aron makahimo mga komplikado nga istruktura sa aparato. Ang SiC nga adunay sapaw nga graphite barrel susceptor alang sa EPI sagad gigamit ingon mga susceptor sa mga reaktor sa EPI tungod sa ilang maayo kaayo nga thermal conductivity ug pagbatok sa taas nga temperatura. Uban saCVD-SiC coating, kini mahimong mas makasugakod sa kontaminasyon, erosion, ug thermal shock. Kini moresulta sa mas taas nga kinabuhi sa susceptor ug mas maayo nga kalidad sa pelikula.

Mga bentaha sa among barrel susceptor alang sa liquid phase epitaxy LPE:
Gipamenos nga Kontaminasyon:Ang inert nga kinaiya sa SiC nagpugong sa mga hugaw gikan sa pagsunod sa susceptor nga nawong, nga makunhuran ang risgo sa kontaminasyon sa nadeposito nga mga pelikula.
Dugang nga Erosion Resistance:Ang SiC mas makasugakod sa erosion kay sa naandan nga graphite, nga mosangpot sa mas taas nga kinabuhi sa susceptor.
Gipauswag nga Thermal Stability:Ang SiC adunay maayo kaayo nga thermal conductivity ug makasugakod sa taas nga temperatura nga wala’y hinungdan nga pagtuis.
Gipauswag nga Kalidad sa Pelikula:Ang gipaayo nga kalig-on sa thermal ug ang pagkunhod sa kontaminasyon nagresulta sa mas taas nga kalidad nga gitago nga mga pelikula nga adunay gipaayo nga pagkaparehas ug pagkontrol sa gibag-on.