Ang 8 Inch P Type Silicon Wafer gikan sa VET Energy usa ka high-performance nga silicon wafer nga gidisenyo alang sa usa ka halapad nga mga aplikasyon sa semiconductor, lakip ang solar cells, MEMS device, ug integrated circuits. Nailhan tungod sa maayo kaayo nga conductivity sa kuryente ug makanunayon nga pasundayag, kini nga wafer mao ang gipalabi nga kapilian alang sa mga tiggama nga nagtinguha nga makahimo og kasaligan ug episyente nga mga sangkap sa elektroniko. Gisiguro sa VET Energy ang tukma nga lebel sa doping ug usa ka taas nga kalidad nga paghuman sa ibabaw alang sa labing maayo nga paghimo sa aparato.
Kini nga 8 Inch P Type Silicon Wafers hingpit nga nahiuyon sa lainlaing mga materyales sama sa SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, ug angay alang sa pagtubo sa Epi Wafer, pagsiguro sa versatility alang sa mga advanced nga proseso sa paghimo sa semiconductor. Ang mga wafer mahimo usab nga gamiton kauban sa ubang mga high-tech nga materyales sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer, nga naghimo niini nga sulundon alang sa sunod nga henerasyon nga mga aplikasyon sa elektroniko. Ang ilang lig-on nga disenyo mohaum usab sa walay hunong nga mga sistema nga nakabase sa Cassette, nga nagsiguro sa episyente ug taas nga gidaghanon sa pagdumala sa produksiyon.
Ang VET Energy naghatag sa mga kustomer og customized wafer solutions. Mahimo namon nga ipasibo ang mga wafer nga adunay lainlaing resistivity, sulud sa oxygen, gibag-on, ug uban pa sumala sa piho nga mga panginahanglanon sa mga kustomer. Dugang pa, naghatag usab kami ug propesyonal nga teknikal nga suporta ug serbisyo pagkahuman sa pagbaligya aron matabangan ang mga kostumer nga masulbad ang lainlaing mga problema nga nasugatan sa proseso sa produksiyon.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
KATAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |