Ang VET Energy 12-pulgada nga SOI wafer usa ka high-performance nga semiconductor substrate nga materyal, nga gipaboran kaayo alang sa maayo kaayo nga elektrikal nga mga kabtangan ug talagsaon nga istruktura. Ang VET Energy naggamit sa mga advanced nga SOI wafer nga proseso sa paghimo aron masiguro nga ang wafer adunay hilabihan ka ubos nga leakage nga kasamtangan, taas nga tulin ug radiation resistance, nga naghatag og lig-on nga pundasyon alang sa imong high-performance integrated circuits.
Ang linya sa produkto sa VET Energy dili limitado sa mga wafer sa SOI. Naghatag usab kami usa ka halapad nga mga materyales sa substrate nga semiconductor, lakip ang Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, ug uban pa, ingon man ang bag-ong lapad nga bandgap semiconductor nga mga materyales sama sa Gallium Oxide Ga2O3 ug AlN Wafer. Kini nga mga produkto makatubag sa mga panginahanglan sa aplikasyon sa lain-laing mga kustomer sa gahum electronics, RF, sensor ug uban pang mga natad.
Nagtutok sa excellence, ang among SOI wafers naggamit usab og advanced nga mga materyales sama sa gallium oxide Ga2O3, cassette ug AlN wafers aron masiguro ang kasaligan ug episyente sa matag lebel sa operasyon. Pagsalig sa VET Energy aron mahatagan ang labing bag-o nga mga solusyon nga naghatag dalan alang sa pag-uswag sa teknolohiya.
Ipagawas ang potensyal sa imong proyekto gamit ang labaw nga pasundayag sa VET Energy 12-pulgada nga SOI wafers. Pauswaga ang imong mga kapabilidad sa kabag-ohan gamit ang mga wafer nga naglangkob sa kalidad, katukma ug kabag-ohan, nga nagbutang sa pundasyon alang sa kalampusan sa dinamikong natad sa teknolohiya sa semiconductor. Pilia ang VET Energy alang sa premium nga SOI wafer nga mga solusyon nga labaw sa gipaabot.
MGA ESPESPIKASYON SA WAFERING
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Hingpit nga Bili | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Nag-beveling |
TAPUSAN SA LUWAS
*n-Pm=n-type nga Pm-Grade,n-Ps=n-type nga Ps-Grade,Sl=Semi-lnsulating
butang | 8-pulgada | 6-pulgada | 4-pulgada | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Paghuman sa nawong | Doble nga kilid nga Optical Polish, Si- Nawong CMP | ||||
Pagkabaga sa nawong | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Nawong Ra≤0.2nm | |||
Edge Chips | Walay Gitugotan (gitas-on ug gilapdon≥0.5mm) | ||||
Mga indent | Walay Gitugotan | ||||
Mga garas(Si-Nawong) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
Mga liki | Walay Gitugotan | ||||
Eksklusyon sa Edge | 3mm |