Epitaxia GaN basada en silici

Descripció breu:


  • Lloc d'origen:Xina
  • Estructura de cristall:Fase FCCβ
  • Densitat:3,21 g/cm
  • Duresa:2500 Vickers
  • Mida del gra:2 ~ 10 μm
  • Puresa química:99,99995%
  • Capacitat calorífica:640J·kg-1·K-1
  • Temperatura de sublimació:2700 ℃
  • Força felexural:415 Mpa (RT de 4 punts)
  • Mòdul de Young:430 Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃)
  • Expansió tèrmica (CTE):4,5 10-6K-1
  • Conductivitat tèrmica:300(W/MK)
  • Detall del producte

    Etiquetes de producte

    Descripció del producte

    La nostra empresa ofereix serveis de procés de recobriment de SiC mitjançant el mètode CVD a la superfície de grafit, ceràmica i altres materials, de manera que els gasos especials que contenen carboni i silici reaccionin a alta temperatura per obtenir molècules de SiC d'alta puresa, molècules dipositades a la superfície dels materials recoberts, formant una capa protectora SIC.

    Característiques principals:

    1. Resistència a l'oxidació a alta temperatura:

    la resistència a l'oxidació encara és molt bona quan la temperatura és tan alta com 1600 C.

    2. Alta puresa: fet per deposició de vapor químic en condicions de cloració a alta temperatura.

    3. Resistència a l'erosió: alta duresa, superfície compacta, partícules fines.

    4. Resistència a la corrosió: àcid, àlcali, sal i reactius orgànics.

    Especificacions principals del recobriment CVD-SIC

    Propietats SiC-CVD

    Estructura de cristall Fase β de la FCC
    Densitat g/cm³ 3.21
    Duresa Duresa Vickers 2500
    Mida del gra μm 2~10
    Puresa química % 99,99995
    Capacitat calorífica J·kg-1 ·K-1 640
    Temperatura de sublimació 2700
    Força felexural MPa (RT de 4 punts) 415
    Mòdul de Young Gpa (corba de 4 punts, 1300 ℃) 430
    Expansió tèrmica (CTE) 10-6K-1 4.5
    Conductivitat tèrmica (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Anterior:
  • Següent:

  • Xat en línia de WhatsApp!