Susceptor epitaxial de barril de grafit epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafit epitaxial

Susceptor epitaxial de barril de grafit epitaxialés un dispositiu de suport i calefacció especialment dissenyat que s'utilitza per subjectar i escalfar substrats semiconductors durant processos de fabricació com els processos de deposició o epitàxia.

La seva estructura inclou típicament cilíndrica o lleugerament en forma de canó, la superfície presenta múltiples butxaques o plataformes per col·locar les hòsties, pot ser de disseny sòlid o buit, segons el mètode d'escalfament.

Les principals funcions del susceptor de barril epitaxial:

-Suport de substrat: subjecta de manera segura múltiples hòsties de semiconductors;
-Font de calor: proporciona les altes temperatures necessàries per al creixement mitjançant la calefacció;
-Uniformitat de la temperatura: assegura un escalfament uniforme dels substrats;
-Rotació: normalment gira durant el creixement per millorar la temperatura i la uniformitat de distribució del gas.

Principi de funcionament del susceptor del barril de grafit Epi:
- Al reactor epitaxial, el susceptor del barril s'escalfa a la temperatura requerida (normalment 1000 ℃-1200 ℃ per a l'epitaxia de silici);
-El susceptor del barril gira per garantir una distribució uniforme de la temperatura i un flux de gas;
-Els gasos de reacció es descomponen a altes temperatures, formant capes epitaxials a la superfície del substrat.

Aplicacions:
- S'utilitza principalment per al creixement epitaxial de silici
-També aplicable per a l'epitaxia d'altres materials semiconductors com GaAs, InP, etc.

VET Energy utilitza grafit d'alta puresa amb recobriment CVD-SiC per millorar l'estabilitat química:

Els avantatges de VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Estabilitat a alta temperatura;
- Bona uniformitat tèrmica;
-Pot processar múltiples substrats simultàniament, millorant l'eficiència de la producció;
-Químicament inert, mantenint un ambient de creixement d'alta puresa.