Vijesti

Koje su tehničke prepreke silicijum karbidu?Ⅱ
by admin 24-05-22
Tehničke poteškoće u stabilnoj masovnoj proizvodnji visokokvalitetnih pločica od silicijum karbida sa stabilnim performansama uključuju: 1) Pošto kristali moraju da rastu u zatvorenom okruženju na visokoj temperaturi iznad 2000°C, zahtevi za kontrolu temperature su izuzetno visoki; 2) Pošto silicijum karbid ima više...
Pročitajte više
Koje su tehničke prepreke silicijum karbidu?
by admin 24-05-22
Prvu generaciju poluvodičkih materijala predstavljaju tradicionalni silicijum (Si) i germanijum (Ge), koji su osnova za proizvodnju integrisanih kola. Oni se široko koriste u tranzistorima i detektorima niskog napona, niske frekvencije i male snage. Više od 90% poluprovodničkih proizvoda...
Pročitajte više
Kako se pravi SiC mikro prah?
by admin 24-05-13
SiC monokristal je složeni poluprovodnički materijal Grupe IV-IV koji se sastoji od dva elementa, Si i C, u stehiometrijskom odnosu 1:1. Njegova tvrdoća je na drugom mjestu nakon dijamanta. Metoda redukcije ugljika silicijum oksidom za pripremu SiC uglavnom se zasniva na sledećoj formuli hemijske reakcije...
Pročitajte više
Kako epitaksijalni slojevi pomažu poluvodičkim uređajima?
by admin 24-05-13
Poreklo naziva epitaksijalne pločice Prvo, hajde da popularizujemo mali koncept: priprema vafla uključuje dve glavne karike: pripremu supstrata i epitaksijalni proces. Podloga je pločica napravljena od poluvodičkog monokristalnog materijala. Podloga može direktno ući u proizvodnju vafla...
Pročitajte više
Uvod u tehnologiju nanošenja tankog filma hemijskim taloženjem parom (CVD).
by admin 24-05-06
Kemijsko taloženje parom (CVD) je važna tehnologija taloženja tankog filma, koja se često koristi za pripremu različitih funkcionalnih filmova i tankoslojnih materijala, i široko se koristi u proizvodnji poluvodiča i drugim poljima. 1. Princip rada CVD-a U CVD procesu, prethodnik gasa (jedan ili više...
Pročitajte više
Tajna "crnog zlata" iza industrije fotonaponskih poluprovodnika: želja i ovisnost o izostatičnom grafitu
by admin 24-05-06
Izostatski grafit je veoma važan materijal u fotonaponskim i poluprovodnicima. S brzim usponom domaćih kompanija izostatičnog grafita, monopol stranih kompanija u Kini je razbijen. Uz kontinuirano nezavisno istraživanje i razvoj i tehnološki napredak, ...
Pročitajte više
Razotkrivanje osnovnih karakteristika grafitnih čamaca u proizvodnji poluprovodničke keramike
by admin 24-04-22
Grafitni čamci, također poznati kao grafitni čamci, igraju ključnu ulogu u složenim procesima proizvodnje poluvodičke keramike. Ove specijalizovane posude služe kao pouzdani nosači za poluprovodničke pločice tokom tretmana na visokim temperaturama, obezbeđujući preciznu i kontrolisanu obradu. Sa ...
Pročitajte više
Detaljno je objašnjena unutrašnja struktura cijevne opreme peći
by admin 24-04-22
Kao što je gore prikazano, tipična je prva polovina: Grejni element (grejni kalem) : smešten oko cevi peći, obično napravljen od otpornih žica, koji se koriste za zagrevanje unutrašnjosti cevi peći. Kvarcna cijev: Jezgro peći za vruću oksidaciju, napravljeno od kvarca visoke čistoće koji može izdržati visoke...
Pročitajte više
Efekti SiC supstrata i epitaksijalnih materijala na karakteristike MOSFET uređaja
by admin 24-04-16
Trokutasti defekt Trokutasti defekti su najfatalniji morfološki defekti u SiC epitaksijalnim slojevima. Veliki broj literaturnih izvještaja je pokazao da je formiranje trokutastih defekata povezano s 3C kristalnom formom. Međutim, zbog različitih mehanizama rasta, morfologija mnogih tr...
Pročitajte više