Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptor

Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptor

Епитаксиален Epi Graphite Barrel Susceptorе специално проектирано опорно и нагревателно устройство, използвано за задържане и нагряване на полупроводникови субстрати по време на производствени процеси като процеси на отлагане или епитаксия.

Структурата му включва типично цилиндрична или леко бъчвообразна, повърхността включва множество джобове или платформи за поставяне на вафлите, може да бъде плътен или кух дизайн, в зависимост от метода на нагряване.

Основните функции на епитаксиалния цевноприемник:

-Опора на субстрата: здраво държи множество полупроводникови пластини;
-Източник на топлина: осигурява високи температури, необходими за растеж чрез нагряване;
-Равномерност на температурата: осигурява равномерно нагряване на субстратите;
-Въртене: обикновено се върти по време на растеж, за да се подобри равномерността на температурата и разпределението на газа.

Принцип на работа на Epi graphite barel suceptor:
- В епитаксиалния реактор цилиндърът се нагрява до необходимата температура (обикновено 1000℃-1200℃ за силициева епитаксия);
-Сцепторът на цевта се върти, за да се осигури равномерно разпределение на температурата и газовия поток;
-Реакционните газове се разлагат при високи температури, образувайки епитаксиални слоеве върху повърхността на субстрата.

Приложения:
- Използва се основно за силициев епитаксиален растеж
-Приложимо също за епитаксия на други полупроводникови материали като GaAs, InP и др.

VET Energy използва графит с висока чистота с CVD-SiC покритие за подобряване на химическата стабилност:

Предимствата на VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Висока температурна стабилност;
-Добра топлинна равномерност;
-Може да обработва множество субстрати едновременно, подобрявайки производствената ефективност;
-Химически инертен, поддържащ среда за растеж с висока чистота.