Xəbərlər

Silikon karbid üçün texniki maneələr hansılardır?Ⅱ
admin tərəfindən 24-05-22
Sabit məhsuldarlığı ilə sabit kütləvi istehsal olunan yüksək keyfiyyətli silisium karbid vaflilərində texniki çətinliklərə aşağıdakılar daxildir: 1) Kristalların 2000°C-dən yuxarı yüksək temperaturlu möhürlənmiş mühitdə böyüməsi lazım olduğundan, temperatura nəzarət tələbləri olduqca yüksəkdir; 2) Silisium karbid daha çox...
Daha ətraflı oxuyun
Silikon karbid üçün texniki maneələr hansılardır?
admin tərəfindən 24-05-22
Yarımkeçirici materialların birinci nəsli inteqral sxemlərin istehsalı üçün əsas olan ənənəvi silikon (Si) və germanium (Ge) ilə təmsil olunur. Onlar aşağı gərginlikli, aşağı tezlikli və aşağı güclü tranzistor və detektorlarda geniş istifadə olunur. Yarımkeçirici məhsulların 90%-dən çoxu...
Daha ətraflı oxuyun
SiC mikro tozu necə hazırlanır?
admin tərəfindən 24-05-13
SiC monokristalı 1:1 stoxiometrik nisbətdə iki elementdən, Si və C-dən ibarət IV-IV qrup mürəkkəb yarımkeçirici materialdır. Onun sərtliyi almazdan sonra ikinci yerdədir. SiC hazırlamaq üçün silikon oksidin karbon azaldılması üsulu əsasən aşağıdakı kimyəvi reaksiya düsturuna əsaslanır...
Daha ətraflı oxuyun
Epitaksial təbəqələr yarımkeçirici cihazlara necə kömək edir?
admin tərəfindən 24-05-13
Epitaksial vafli adının mənşəyi Əvvəlcə kiçik bir konsepsiyanı populyarlaşdıraq: vafli hazırlanması iki əsas əlaqəni ehtiva edir: substratın hazırlanması və epitaksial proses. Substrat yarımkeçirici monokristal materialdan hazırlanmış vaflidir. Substrat birbaşa vafli istehsalına daxil ola bilər...
Daha ətraflı oxuyun
Kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) nazik təbəqə çökmə texnologiyasına giriş
admin tərəfindən 24-05-06 tarixində
Kimyəvi Buxar Çöküntüsü (CVD) mühüm nazik təbəqə çökdürmə texnologiyasıdır, tez-tez müxtəlif funksional filmlər və nazik təbəqə materialları hazırlamaq üçün istifadə olunur və yarımkeçiricilərin istehsalında və digər sahələrdə geniş istifadə olunur. 1. CVD-nin iş prinsipi CVD prosesində qaz prekursoru (bir və ya...
Daha ətraflı oxuyun
Fotovoltaik yarımkeçirici sənayesinin arxasında "qara qızıl" sirri: izostatik qrafitdən asılılıq və arzu
admin tərəfindən 24-05-06 tarixində
İzostatik qrafit fotovoltaiklərdə və yarımkeçiricilərdə çox vacib bir materialdır. Yerli izostatik qrafit şirkətlərinin sürətli yüksəlişi ilə Çində xarici şirkətlərin monopoliyası qırıldı. Davamlı müstəqil tədqiqat və inkişaf və texnoloji irəliləyişlərlə, ...
Daha ətraflı oxuyun
Yarımkeçirici keramika istehsalında qrafit qayıqların əsas xüsusiyyətlərinin açıqlanması
admin tərəfindən 24-04-22
Qrafit qayıqları, həmçinin qrafit qayıqları kimi tanınan, yarımkeçirici keramika istehsalının mürəkkəb proseslərində həlledici rol oynayır. Bu ixtisaslaşdırılmış gəmilər yüksək temperaturda emal zamanı yarımkeçirici vaflilər üçün etibarlı daşıyıcı rolunu oynayır, dəqiq və idarə olunan emal təmin edir. Ilə...
Daha ətraflı oxuyun
Soba borusu avadanlığının daxili quruluşu ətraflı izah olunur
admin tərəfindən 24-04-22
Yuxarıda göstərildiyi kimi, tipikdir Birinci yarım: Isıtma Elementi (qızdırma bobini) : soba borusu ətrafında yerləşir, adətən müqavimət tellərindən hazırlanır, soba borusunun içini qızdırmaq üçün istifadə olunur. Kvars borusu: Yüksək temperaturlara tab gətirə bilən yüksək təmizlikli kvarsdan hazırlanmış isti oksidləşmə sobasının nüvəsi...
Daha ətraflı oxuyun
SiC substratının və epitaksial materialların MOSFET cihazının xüsusiyyətlərinə təsiri
admin tərəfindən 24-04-16 tarixində
Üçbucaqlı defekt Üçbucaqlı qüsurlar SiC epitaksial təbəqələrində ən ölümcül morfoloji qüsurlardır. Çoxlu sayda ədəbiyyat hesabatları göstərir ki, üçbucaqlı qüsurların əmələ gəlməsi 3C kristal forması ilə bağlıdır. Bununla belə, müxtəlif böyümə mexanizmlərinə görə, bir çox tr...
Daha ətraflı oxuyun