Silisium karbid (SiC) yeni mürəkkəb yarımkeçirici materialdır. Silikon karbid böyük bir zolaq boşluğuna (təxminən 3 dəfə silisium), yüksək kritik sahə gücünə (təxminən 10 dəfə silisium), yüksək istilik keçiriciliyinə (təxminən 3 dəfə silisium) malikdir. Bu, vacib yeni nəsil yarımkeçirici materialdır. SiC örtükləri yarımkeçiricilər sənayesində və günəş fotovoltaiklərində geniş istifadə olunur. Xüsusilə, LED-lərin epitaksial böyüməsində və Si monokristal epitaksiyasında istifadə olunan susseptorlar SiC örtüyünün istifadəsini tələb edir. İşıqlandırma və ekran sənayesində LED-lərin güclü yüksəliş tendensiyası və yarımkeçirici sənayenin güclü inkişafı səbəbindən,SiC örtük məhsuluperspektivləri çox yaxşıdır.
TƏTBİQ SAHƏSİ
Saflıq, SEM strukturu, qalınlıq analiziSiC örtüyü
CVD istifadə edərək qrafit üzərində SiC örtüklərinin təmizliyi 99,9995% qədər yüksəkdir. Onun strukturu fcc-dir. Qrafitlə örtülmüş SiC plyonkaları (111) XRD məlumatında göstərildiyi kimi (Şəkil 1) yönləndirilmişdir ki, bu da onun yüksək kristal keyfiyyətini göstərir. SiC filminin qalınlığı Şəkil 2-də göstərildiyi kimi çox vahiddir.
Şəkil 2: qrafit üzərindəki beta-SiC filminin SEM və XRD SiC filmlərinin qalınlığı vahidi
CVD SiC nazik filminin SEM məlumatları, kristal ölçüsü 2 ~ 1 Opm-dir
CVD SiC filminin kristal quruluşu üz mərkəzli kubik quruluşdur və filmin böyümə istiqaməti 100%-ə yaxındır.
Silikon karbid (SiC) ilə örtülmüşdürbaza tək kristal silisium və epitaksiya sobasının əsas komponenti olan GaN epitaksi üçün ən yaxşı bazadır. Baza böyük inteqral sxemlər üçün monokristal silikon üçün əsas istehsal aksessuarıdır. Yüksək təmizliyə, yüksək temperatura davamlılığa, korroziyaya davamlılığa, yaxşı hava keçirmə qabiliyyətinə və digər əla material xüsusiyyətlərinə malikdir.
Məhsulun tətbiqi və istifadəsi
Tək kristal silisium epitaksial artım üçün qrafit əsas örtüyüAixtron maşınları və s. üçün uyğundur. Örtünün qalınlığı: 90~150umVaffli kraterin diametri 55mm-dir.
Göndərmə vaxtı: 14 mart 2022-ci il