Çin üçün ən aşağı qiymət Polikristal silikon külçə sobası üçün yüksək keyfiyyətli xüsusiləşdirilmiş qrafit qızdırıcısı

Qısa təsvir:

Təmizlik < 5ppm
‣ Yaxşı dopinq vahidliyi
‣ Yüksək sıxlıq və yapışma
‣ Yaxşı antikorozif və karbon müqaviməti

‣ Professional fərdiləşdirmə
‣ Qısa çatdırılma müddəti
‣ Sabit təchizat
‣ Keyfiyyətə nəzarət və davamlı təkmilləşdirmə

Sapphire üzərində GaN epitaksiyası(RGB/Mini/Mikro LED);Si Substratda GaN epitaksiyası(UVC);Si Substratda GaN epitaksiyası(Elektron Cihaz);Si substratında Si epitaksiyası(inteqrasiya edilmiş dövrə);SiC Substrat üzərində SiC epitaksiyası(Substrat);InP-də InP epitaksisi

Bizə e-poçt göndərin PDF olaraq yükləyin

Məhsul təfərrüatı

Məhsul Teqləri

Biz həllərimizi və xidmətimizi artırmağa və təkmilləşdirməyə davam edirik. Eyni zamanda, biz polikristal silikon külçə sobası üçün Çin üçün ən aşağı qiymətə yüksək keyfiyyətli xüsusiləşdirilmiş qrafit qızdırıcısı üçün araşdırma və təkmilləşdirmə aparmaq üçün fəal şəkildə fəaliyyət göstəririk. məhsullar və fantastik müştəri provayderi.
Biz həllərimizi və xidmətimizi artırmağa və təkmilləşdirməyə davam edirik. Eyni zamanda, biz tədqiqat və təkmilləşdirmə aparmaq üçün fəal şəkildə fəaliyyət göstəririkÇin Qrafit İstilik Ocağı, Qrafit İstilik Sahəsi, Yalnız müştərinin tələbini ödəmək üçün keyfiyyətli məhsulu yerinə yetirmək üçün bütün məhsullarımız və həllərimiz göndərilməzdən əvvəl ciddi şəkildə yoxlanılmışdır. Biz həmişə sualı müştərilərin tərəfində düşünürük, çünki siz qazanırsınız, biz qazanırıq!

2022 yüksək keyfiyyətli MOCVD Susceptor Çində onlayn alın

Görünən sıxlıq:	1,85 q/sm3
Elektrik müqaviməti:	11 μΩm
Bükülmə Gücü:	49 MPa (500kgf/sm2)
Sahil sərtliyi:	58
Kül:	<5ppm
İstilik keçiriciliyi:	116 Vt/mK (100 kkal/mhr-℃)

Gofret, texniki cəhətdən çox tələbkar olan prosedurlar sayəsində son dərəcə düz səthə malik, təxminən 1 millimetr qalınlığında silikon dilimdir. Sonrakı istifadə hansı kristal yetişdirmə prosedurunun tətbiq olunacağını müəyyənləşdirir. Məsələn, Czochralski prosesində polikristal silisium əridilir və karandaş kimi nazik toxum kristalı ərinmiş silisiumun içinə batırılır. Sonra toxum kristalı fırlanır və yavaş-yavaş yuxarıya çəkilir. Çox ağır bir kolossus, monokristal nəticələnir. Monokristalın elektrik xüsusiyyətlərini yüksək təmizlikli əlavə maddələrin kiçik vahidlərini əlavə etməklə seçmək mümkündür. Kristallar müştərinin spesifikasiyasına uyğun olaraq qatqılanır və sonra cilalanır və dilimlərə kəsilir. Müxtəlif əlavə istehsal addımlarından sonra müştəri müəyyən edilmiş vafliləri xüsusi qablaşdırmada alır ki, bu da müştəriyə vaflidən dərhal öz istehsal xəttində istifadə etməyə imkan verir.

Elektron cihazlarda istifadəyə hazır olan vafli bir neçə mərhələdən keçməlidir. Əhəmiyyətli proseslərdən biri silikon epitaksiyadır ki, bu zaman vaflilər qrafit tutucular üzərində aparılır. Susseptorların xassələri və keyfiyyəti vaflinin epitaksial təbəqəsinin keyfiyyətinə həlledici təsir göstərir.

Epitaksiya və ya MOCVD kimi nazik təbəqənin çökmə mərhələləri üçün VET substratları və ya "vafliləri" dəstəkləmək üçün istifadə olunan ultra təmiz qrafit avadanlığı təmin edir. Prosesin əsasını təşkil edən bu avadanlıq, MOCVD üçün epitaksiya həssasları və ya peyk platformaları əvvəlcə çökmə mühitinə məruz qalır:

Yüksək temperatur.
Yüksək vakuum.
Aqressiv qaz prekursorlarının istifadəsi.
Sıfır çirklənmə, soyulmanın olmaması.
Təmizləmə əməliyyatları zamanı güclü turşulara qarşı müqavimət