የሲሲ ሽፋን ግራፋይት MOCVD ዋፈር ተሸካሚዎች ሱስሴፕተሮች

አጭር መግለጫ፡-

VET Energy SiC የተሸፈነው MOCVD Susceptor ለኤፒታክሲያል ዕድገት ከፍተኛ አፈጻጸም ያለው ምርት ነው ተከታታይ እና አስተማማኝ አፈጻጸምን በተራዘመ ጊዜ ለማቅረብ። እጅግ በጣም ጥሩ የሙቀት መቋቋም እና የሙቀት ተመሳሳይነት ፣ ከፍተኛ ንፅህና ፣ የአፈር መሸርሸርን የመቋቋም ችሎታ አለው ፣ ይህም ለ wafer ማቀነባበሪያ መተግበሪያዎች ፍጹም መፍትሄ ያደርገዋል።

ኢሜይል ይላኩልን። እንደ PDF አውርድ

የምርት ዝርዝር

የምርት መለያዎች

የሲሲ ሽፋን ግራፋይት MOCVD ዋፈር ተሸካሚዎች/susceptor

ሁሉም የእኛ ተጠርጣሪዎች ከፍተኛ-ጥንካሬ አይስስታቲክ ግራፋይት የተሰሩ ናቸው። ከግራፊቶቻችን ከፍተኛ ንፅህና ተጠቃሚ መሆን - በተለይ እንደ ኤፒታክሲ፣ ክሪስታል ማደግ፣ ion implantation እና plasma etching እንዲሁም ለ LED ቺፕስ ላሉ ፈታኝ ሂደቶች የተዘጋጀ።

የእኛ ምርቶች ባህሪያት:

1. ከፍተኛ የሙቀት መጠን ኦክሳይድ መቋቋም እስከ 1700 ℃.
2. ከፍተኛ ንፅህና እና የሙቀት ተመሳሳይነት
3. እጅግ በጣም ጥሩ የዝገት መቋቋም: አሲድ, አልካሊ, ጨው እና ኦርጋኒክ reagents.
4. ከፍተኛ ጥንካሬ, የታመቀ ገጽ, ጥቃቅን ቅንጣቶች.
5. ረጅም የአገልግሎት ሕይወት እና የበለጠ ዘላቂ

ሲቪዲ SiC薄膜基本物理性能 የሲቪዲ ሲሲ መሰረታዊ አካላዊ ባህሪያትሽፋን
性质 / ንብረት	典型数值 / የተለመደ እሴት
晶体结构 / ክሪስታል መዋቅር	FCC β ደረጃ多晶፣主要为（111) 取向
密度 / ጥግግት	3.21 ግ/ሴሜ³
硬度 / ጥንካሬ	2500 ግ (500 ግ ጭነት)
晶粒大小 / እህል SiZe	2 ~ 10 ማይክሮን
纯度 / የኬሚካል ንፅህና	99.99995%
热容 / የሙቀት አቅም	640 ኪ.ግ^-1· ኬ^-1
升华温度 / Sublimation የሙቀት	2700 ℃
抗弯强度 / ተለዋዋጭ ጥንካሬ	415 MPa RT 4-ነጥብ
杨氏模量 / የወጣት ሞዱሉስ	430 ጂፒኤ 4 ፒት መታጠፍ፣ 1300 ℃
导热系数 / ቴርማኤልምግባር	300 ዋ · ሜትር^-1· ኬ^-1
热膨胀系数 የሙቀት መስፋፋት (ሲቲኢ)	4.5×10^-6K^-1

VET ኢነርጂ እንደ ሲሲ ሽፋን ፣ ታሲ ሽፋን ፣ ብርጭቆ የካርቦን ሽፋን ፣ ፒሮሊቲክ የካርቦን ሽፋን ፣ ወዘተ ያሉ የተለያዩ ሽፋን ያላቸው ብጁ ግራፋይት እና የሲሊኮን ካርቦዳይድ ምርቶች እውነተኛ አምራች ነው ፣ ለሴሚኮንዳክተር እና ለፎቶቮልታይክ ኢንዱስትሪ የተለያዩ ብጁ ክፍሎችን ማቅረብ ይችላል።

የእኛ የቴክኒክ ቡድን ከከፍተኛ የሀገር ውስጥ የምርምር ተቋማት የመጣ ነው, ለእርስዎ የበለጠ ሙያዊ የቁሳቁስ መፍትሄዎችን ሊያቀርብልዎ ይችላል.

እኛ በቀጣይነት የላቁ ሂደቶችን በማዳበር የላቁ ቁሶችን እናቀርባለን እና ልዩ የፈጠራ ባለቤትነት ያለው ቴክኖሎጂ ሠርተናል፣ይህም በሽፋኑ እና በተቀባዩ መካከል ያለውን ትስስር የበለጠ ጥብቅ እና ለመጥፋት የተጋለጠ ያደርገዋል።

ፋብሪካችንን እንድትጎበኙ በአክብሮት እንኳን ደህና መጣችሁ ፣ የበለጠ እንወያይ!