Laagste prys vir China Aangepaste grafietverwarmer van hoë gehalte vir polikristallyne silikonblokoond

Laagste prys vir China Hoë kwaliteit pasgemaakte grafietverwarmer vir polikristallyne silikon ingot-oond Uitstalbeeld

Kort beskrywing:

Suiwerheid < 5 dpm
‣ Goeie doping-eenvormigheid
‣ Hoë digtheid en adhesie
‣ Goeie korrosieweerstand en koolstofweerstand

‣ Professionele aanpassing
‣ Kort aanlooptyd
‣ Stabiele aanbod
‣ Gehaltebeheer en voortdurende verbetering

Epitaksie van GaN op Sapphire(RGB/Mini/Mikro LED);Epitaksie van GaN op Si Substraat(UVC);Epitaksie van GaN op Si Substraat(Elektroniese Toestel);Epitaksie van Si op Si Substraat(Geïntegreerde stroombaan);Epitaksie van SiC op SiC-substraat(Substraat);Epitaksie van InP op InP

Stuur e-pos aan ons Laai af as PDF

Produkbesonderhede

Produk Tags

Ons gaan voort om ons oplossings en diens te vermeerder en te vervolmaak. Terselfdertyd werk ons aktief om navorsing en verbetering te doen vir Laagste Prys vir China Hoë Kwaliteit Pasgemaakte Grafiet Verwarmer vir Polikristallyne Silikon Ingot Furnace, Ons onderneming het vinnig gegroei in grootte en gewildheid as gevolg van sy absolute toewyding aan topgehalte vervaardiging, hoë prys van produkte en fantastiese kliënteverskaffer.
Ons gaan voort om ons oplossings en diens te vermeerder en te vervolmaak. Terselfdertyd werk ons aktief om navorsing en verbetering te doen virChina grafiet verwarming oond, Grafiet termiese veld, Slegs vir die bereiking van die produk van goeie gehalte om aan die klant se vraag te voldoen, is al ons produkte en oplossings streng gekontroleer voor versending. Ons dink altyd aan die vraag aan die kant van die klante, want jy wen, ons wen!

2022 hoë kwaliteit MOCVD Susceptor Koop aanlyn in China

Skynbare digtheid:	1,85 g/cm3
Elektriese weerstand:	11 μΩm
Buigkrag:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore Hardheid:	58
As:	<5 dpm
Termiese geleidingsvermoë:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

'n Wafer is 'n sny silikon van ongeveer 1 millimeter dik wat 'n uiters plat oppervlak het danksy prosedures wat tegnies baie veeleisend is. Die daaropvolgende gebruik bepaal watter kristalgroeiprosedure gebruik moet word. In die Czochralski-proses word die polikristallyne silikon byvoorbeeld gesmelt en 'n potlooddun saadkristal word in die gesmelte silikon gedoop. Die saadkristal word dan geroteer en stadig opwaarts getrek. 'n Baie swaar kolos, 'n monokristal, ontstaan. Dit is moontlik om die monokristal se elektriese eienskappe te kies deur klein eenhede hoë-suiwer doopmiddels by te voeg. Die kristalle word volgens die klantspesifikasies gedoteer en dan gepoleer en in skywe gesny. Na verskeie bykomende produksiestappe ontvang die klant sy gespesifiseerde wafers in spesiale verpakking, wat die klant toelaat om die wafer onmiddellik in sy produksielyn te gebruik.

'n Wafer moet deur verskeie stappe gaan voordat dit gereed is vir gebruik in elektroniese toestelle. Een belangrike proses is silikon-epitaksie, waarin die wafels op grafiet-susceptors gedra word. Die eienskappe en kwaliteit van die susceptors het 'n deurslaggewende effek op die kwaliteit van die wafer se epitaksiale laag.

Vir dunfilmafsettingsfases soos epitaksie of MOCVD, verskaf VET ultra-suiwer grafiettoerusting wat gebruik word om substrate of "wafers" te ondersteun. In die kern van die proses word hierdie toerusting, epitaksiese susceptors of satellietplatforms vir die MOCVD, eers aan die afsettingsomgewing onderwerp:

Hoë temperatuur.
Hoë vakuum.
Gebruik van aggressiewe gasvormige voorlopers.
Geen besoedeling, afwesigheid van afskilfering.
Weerstand teen sterk sure tydens skoonmaakoperasies