הויך ריינקייַט 8 אינטש סיליקאָן ווייפער

קורץ באַשרייַבונג:

די הויך-ריינקייט 8-אינטש סיליציום ווייפערז פון VET Energy זענען דיין ידעאַל ברירה פֿאַר סעמיקאַנדאַקטער מאַנופאַקטורינג. געמאכט מיט אַוואַנסירטע טעכנאָלאָגיע, די ווייפערז האָבן ויסגעצייכנט קריסטאַל קוואַליטעט און ייבערפלאַך פלאַטנאַס, מאכן זיי פּאַסיק פֿאַר די פּראָדוצירן פון פאַרשידן מיקראָעלעקטראָניק דעוויסעס.

שיקן בליצפּאָסט צו אונדז אראפקאפיע ווי פּדף

פּראָדוקט דעטאַל

פּראָדוקט טאַגס

VET Energy ס 8-אינטש סיליציום ווייפערז זענען וויידלי געניצט אין מאַכט עלעקטראָניק, סענסאָרס, ינאַגרייטיד סערקאַץ און אנדערע פעלדער. ווי אַ פירער אין די סעמיקאַנדאַקטער אינדוסטריע, מיר זענען קאַמיטאַד צו צושטעלן הויך-קוואַליטעט Si Wafer פּראָדוקטן צו טרעפן די גראָוינג באדערפענישן פון אונדזער קאַסטאַמערז.

אין אַדישאַן צו Si Wafer, VET Energy אויך פּראָווידעס אַ ברייט קייט פון סעמיקאַנדאַקטער סאַבסטרייט מאַטעריאַלס, אַרייַנגערעכנט SiC Substrate, SOI Wafer, Sin Substrate, Epi Wafer, עטק. וואַפער, פּראַוויידינג שטאַרק שטיצן פֿאַר דער אַנטוויקלונג פון ווייַטער-דור מאַכט עלעקטראָניש דעוויסעס.

VET Energy האט אַוואַנסירטע פּראָדוקציע ויסריכט און אַ גאַנץ קוואַליטעט פאַרוואַלטונג סיסטעם צו ענשור אַז יעדער ווייפער טרעפן שטרענג ינדאַסטרי סטאַנדאַרדס. אונדזער פּראָדוקטן האָבן ניט בלויז ויסגעצייכנט עלעקטריקאַל פּראָפּערטיעס, אָבער אויך האָבן גוט מעטשאַניקאַל שטאַרקייַט און טערמאַל פעסטקייַט.

VET Energy גיט קאַסטאַמערז מיט קאַסטאַמייזד וואַפער סאַלושאַנז, אַרייַנגערעכנט ווייפערז פון פאַרשידענע סיזעס, טייפּס און דאָפּינג קאַנסאַנטריישאַנז. אין אַדישאַן, מיר אויך צושטעלן פאַכמאַן טעכניש שטיצן און נאָך-פארקויפונג דינסט צו העלפן קאַסטאַמערז סאָלווע פאַרשידן פּראָבלעמס געפּלאָנטערט בעשאַס די פּראָדוקציע פּראָצעס.

וואַפערינג ספּעסאַפאַקיישאַנז

*n-Pm=n-Type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=האַלבינסאַלייטינג

נומער	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
נומער	nP	n-פּם	n-פּס	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6ום	≤6ום
בויגן (GF3YFCD)-אַבסאָלוט ווערט	≤15μם	≤15μם	≤25μם		≤15μם
וואָרפּ (GF3YFER)	≤25μם	≤25μם	≤40μם		≤25μם
LTV(SBIR) -10mmx10mm	<2μם
וואַפער עדזש	בעוועלינג

ייבערפלאַך ענדיקן

*n-Pm=n-Type Pm-Grade,n-Ps=n-Ps-Grade,Sl=האַלבינסאַלייטינג

נומער	8-אינטש	6-אינטש			4-אינטש
	nP	n-פּם	n-פּס	SI	SI
ייבערפלאַך ענדיקן	טאָפּל זייַט אָפּטיש פויליש, סי-פייס קמפּ
SurfaceRoughness	(10ום רענטגענ 10ום) Si-FaceRa≤0.2נם C-פּנים ראַ≤ 0.5נם			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
ברעג טשיפּס	ניט דערלויבט (לענג און ברייט ≥0.5 מם)
אינדענץ	קיין דערלויבט
סקראַטשיז (סי-פאַסע)	קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער	קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער			קטי.≤5,קיומיאַלאַטיוו לענג≤0.5×ווייפער דיאַמעטער
קראַקס	קיין דערלויבט
עדזש יקסקלוזשאַן	3מם