Lớp phủ SiC có thể được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD), biến đổi tiền chất, phun plasma, v.v. Lớp phủ được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi HÓA CHẤT đồng nhất, nhỏ gọn và có khả năng thiết kế tốt. Sử dụng metyl triclosilan. (CHzSiCl3, MTS) làm nguồn silicon, chuẩn bị lớp phủ SiC...
Đọc thêm