VET Energy sử dụng độ tinh khiết cực caocacbua silic (SiC)hình thành do lắng đọng hơi hóa học(CVD)là nguồn nguyên liệu để phát triểnTinh thể SiCbằng phương pháp vận chuyển hơi vật lý (PVT). Trong PVT, nguyên liệu nguồn được nạp vào mộtnồi nấu kim loạivà thăng hoa thành tinh thể hạt.
Cần có nguồn có độ tinh khiết cao để sản xuất chất lượng caoTinh thể SiC.
VET Energy chuyên cung cấp SiC hạt lớn cho PVT vì nó có mật độ cao hơn vật liệu hạt nhỏ hình thành do quá trình đốt cháy tự phát của khí chứa Si và C. Không giống như thiêu kết pha rắn hoặc phản ứng của Si và C, nó không yêu cầu lò thiêu kết chuyên dụng hoặc bước thiêu kết tốn nhiều thời gian trong lò tăng trưởng. Vật liệu hạt lớn này có tốc độ bay hơi gần như không đổi, giúp cải thiện tính đồng nhất trong quá trình vận hành.
Giới thiệu:
1. Chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC: Đầu tiên, bạn cần chuẩn bị nguồn khối CVD-SiC chất lượng cao, thường có độ tinh khiết cao và mật độ cao. Điều này có thể được điều chế bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) trong điều kiện phản ứng thích hợp.
2. Chuẩn bị chất nền: Chọn chất nền thích hợp làm chất nền cho sự phát triển đơn tinh thể SiC. Các vật liệu nền thường được sử dụng bao gồm cacbua silic, silicon nitrit, v.v., có khả năng kết hợp tốt với tinh thể đơn SiC đang phát triển.
3. Gia nhiệt và thăng hoa: Đặt nguồn khối CVD-SiC và chất nền vào lò nung nhiệt độ cao và cung cấp các điều kiện thăng hoa thích hợp. Thăng hoa có nghĩa là ở nhiệt độ cao, nguồn khối trực tiếp chuyển từ trạng thái rắn sang trạng thái hơi, sau đó ngưng tụ lại trên bề mặt đế để tạo thành một tinh thể đơn.
4. Kiểm soát nhiệt độ: Trong quá trình thăng hoa, độ dốc nhiệt độ và phân bố nhiệt độ cần phải được kiểm soát chính xác để thúc đẩy quá trình thăng hoa của nguồn khối và sự phát triển của các tinh thể đơn lẻ. Kiểm soát nhiệt độ thích hợp có thể đạt được chất lượng tinh thể và tốc độ tăng trưởng lý tưởng.
5. Kiểm soát không khí: Trong quá trình thăng hoa, không khí phản ứng cũng cần được kiểm soát. Khí trơ có độ tinh khiết cao (như argon) thường được sử dụng làm khí mang để duy trì áp suất và độ tinh khiết thích hợp, đồng thời ngăn ngừa ô nhiễm bởi tạp chất.
6. Tăng trưởng tinh thể đơn: Nguồn khối CVD-SiC trải qua quá trình chuyển pha hơi trong quá trình thăng hoa và ngưng tụ lại trên bề mặt đế để tạo thành cấu trúc tinh thể đơn. Sự phát triển nhanh chóng của các tinh thể đơn SiC có thể đạt được thông qua các điều kiện thăng hoa thích hợp và kiểm soát độ dốc nhiệt độ.
Nhiệt liệt chào mừng bạn đến thăm nhà máy của chúng tôi, chúng ta hãy thảo luận thêm!
