Tấm wafer silicon 8 inch có độ tinh khiết cao

Mô tả ngắn gọn:

Tấm silicon 8 inch có độ tinh khiết cao của VET Energy là lựa chọn lý tưởng cho sản xuất chất bán dẫn. Được chế tạo bằng công nghệ tiên tiến, những tấm wafer này có chất lượng tinh thể tuyệt vời và độ phẳng bề mặt, khiến chúng phù hợp để sản xuất nhiều loại thiết bị vi điện tử.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tấm silicon 8 inch của VET Energy được sử dụng rộng rãi trong điện tử công suất, cảm biến, mạch tích hợp và các lĩnh vực khác. Là công ty dẫn đầu trong ngành bán dẫn, chúng tôi cam kết cung cấp các sản phẩm Si Wafer chất lượng cao để đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của khách hàng.

Ngoài Si Wafer, VET Energy còn cung cấp nhiều loại vật liệu nền bán dẫn, bao gồm SiC Substrate, SOI wafer, SiN Substrate, Epi wafer, v.v. Dòng sản phẩm của chúng tôi cũng bao gồm các vật liệu bán dẫn có dải thông rộng mới như Gallium Oxide Ga2O3 và AlN wafer, cung cấp sự hỗ trợ mạnh mẽ cho sự phát triển của các thiết bị điện tử công suất thế hệ tiếp theo.

VET Energy có thiết bị sản xuất tiên tiến và hệ thống quản lý chất lượng hoàn chỉnh để đảm bảo rằng mỗi tấm bán dẫn đều đáp ứng các tiêu chuẩn nghiêm ngặt của ngành. Sản phẩm của chúng tôi không chỉ có tính chất điện tuyệt vời mà còn có độ bền cơ học tốt và ổn định nhiệt.

VET Energy cung cấp cho khách hàng các giải pháp tấm bán dẫn tùy chỉnh, bao gồm các tấm bán dẫn có kích cỡ, chủng loại và nồng độ pha tạp khác nhau. Ngoài ra, chúng tôi còn cung cấp dịch vụ hỗ trợ kỹ thuật và hậu mãi chuyên nghiệp để giúp khách hàng giải quyết các vấn đề khác nhau gặp phải trong quá trình sản xuất.

第6页-36
第6-35

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

6um

6um

Cung(GF3YFCD)-Giá trị tuyệt đối

15μm

15μm

25μm

15μm

Cong vênh (GF3YFER)

25μm

25μm

40μm

25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

cạnh wafer

vát mép

HOÀN THIỆN BỀ MẶT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng quang học hai mặt,Si-Face CMP

Độ nhám bề mặt

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Mặt C Ra< 0,5nm

(5umx5um) Si-Mặt Ra<0,2nm
Mặt C Ra<0.5nm

Chip cạnh

Không được phép (chiều dài và chiều rộng ≥0,5mm)

Thụt lề

Không được phép

Vết xước (Si-Mặt)

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

vết nứt

Không được phép

Loại trừ cạnh

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến WhatsApp!