Bánh quế SOI 12 inch

Mô tả ngắn gọn:

Trải nghiệm sự đổi mới chưa từng có với 12 Inch SOI wafer hiện đại, một tuyệt tác công nghệ được VET Energy tự hào mang đến cho bạn. Được chế tạo với độ chính xác và chuyên môn, tấm wafer Silicon-On-Insulator này xác định lại các tiêu chuẩn công nghiệp, mang lại chất lượng và hiệu suất tuyệt vời.


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tấm wafer SOI 12 inch của VET Energy là vật liệu nền bán dẫn hiệu suất cao, rất được ưa chuộng nhờ đặc tính điện tuyệt vời và cấu trúc độc đáo. VET Energy sử dụng các quy trình sản xuất tấm bán dẫn SOI tiên tiến để đảm bảo rằng tấm bán dẫn có dòng rò cực thấp, tốc độ cao và khả năng chống bức xạ, mang lại nền tảng vững chắc cho các mạch tích hợp hiệu suất cao của bạn.

Dòng sản phẩm của VET Energy không chỉ giới hạn ở tấm wafer SOI. Chúng tôi cũng cung cấp nhiều loại vật liệu nền bán dẫn, bao gồm Si wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi wafer, v.v., cũng như các vật liệu bán dẫn có dải thông rộng mới như Gallium Oxide Ga2O3 và AlN wafer. Những sản phẩm này có thể đáp ứng nhu cầu ứng dụng của các khách hàng khác nhau trong lĩnh vực điện tử công suất, RF, cảm biến và các lĩnh vực khác.

Tập trung vào sự xuất sắc, các tấm bán dẫn SOI của chúng tôi cũng sử dụng các vật liệu tiên tiến như ga2O3 gali oxit, băng cassette và tấm bán dẫn AlN để đảm bảo độ tin cậy và hiệu quả ở mọi cấp độ hoạt động. Tin tưởng VET Energy sẽ cung cấp các giải pháp tiên tiến mở đường cho tiến bộ công nghệ.

Giải phóng tiềm năng dự án của bạn với hiệu suất vượt trội của tấm wafer SOI 12 inch VET Energy. Tăng cường khả năng đổi mới của bạn với các tấm bán dẫn thể hiện chất lượng, độ chính xác và sự đổi mới, đặt nền tảng cho sự thành công trong lĩnh vực công nghệ bán dẫn năng động. Chọn VET Energy để có các giải pháp wafer SOI cao cấp vượt quá mong đợi.

第6页-36
第6-35

THÔNG SỐ KỸ THUẬT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

6um

6um

Cung(GF3YFCD)-Giá trị tuyệt đối

15μm

15μm

25μm

15μm

Cong vênh (GF3YFER)

25μm

25μm

40μm

25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

cạnh wafer

vát mép

HOÀN THIỆN BỀ MẶT

*n-Pm=n-loại Pm-Cấp,n-Ps=n-loại Ps-Cấp,Sl=bán cách điện

Mục

8 inch

6 inch

4 inch

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Hoàn thiện bề mặt

Đánh bóng quang học hai mặt,Si-Face CMP

Độ nhám bề mặt

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Mặt C Ra< 0,5nm

(5umx5um) Si-Mặt Ra<0,2nm
Mặt C Ra<0.5nm

Chip cạnh

Không được phép (chiều dài và chiều rộng ≥0,5mm)

Thụt lề

Không được phép

Vết xước (Si-Mặt)

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

Số lượng.<5, Tích lũy
Chiều dài 0,5 × đường kính wafer

vết nứt

Không được phép

Loại trừ cạnh

3mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Trò chuyện trực tuyến WhatsApp!