CVD-SiCqoplama barqaror fizik va kimyoviy xususiyatlarga ega bo'lgan yagona tuzilish, ixcham material, yuqori haroratga chidamlilik, oksidlanishga chidamlilik, yuqori tozalik, kislota va gidroksidi qarshilik va organik reagent xususiyatlariga ega.

Yuqori toza grafit materiallari bilan solishtirganda, grafit 400C da oksidlanishni boshlaydi, bu oksidlanish natijasida kukun yo'qolishiga olib keladi, natijada atrof-muhitning periferik qurilmalar va vakuum kameralari ifloslanishiga olib keladi va yuqori toza muhitning ifloslanishini oshiradi.

Biroq, SiC qoplamasi fizik va kimyoviy barqarorlikni 1600 darajada saqlab turishi mumkin, u zamonaviy sanoatda, ayniqsa yarimo'tkazgich sanoatida keng qo'llaniladi.

Kompaniyamiz grafit, keramika va boshqa materiallar yuzasida CVD usuli bo'yicha SiC qoplama jarayoni xizmatlarini taqdim etadi, shuning uchun uglerod va kremniy o'z ichiga olgan maxsus gazlar yuqori haroratda reaksiyaga kirishib, yuqori toza SiC molekulalarini, qoplangan materiallar yuzasiga yotqizilgan molekulalarni, SIC himoya qatlamini hosil qiladi. Hosil bo'lgan SIC grafit asosiga mahkam bog'langan bo'lib, grafit asosiga maxsus xususiyatlarni beradi, shuning uchun grafitning sirtini ixcham, porozliksiz, yuqori haroratga chidamli, korroziyaga chidamlilik va oksidlanishga chidamli qiladi.

Asosiy xususiyatlar:

1. Yuqori haroratli oksidlanish qarshiligi:

harorat 1600 S gacha bo'lganida oksidlanish qarshiligi hali ham juda yaxshi.

2. Yuqori tozalik: yuqori haroratli xlorlash sharoitida kimyoviy bug'larni cho'ktirish orqali amalga oshiriladi.

3. Eroziyaga chidamlilik: yuqori qattiqlik, ixcham sirt, nozik zarralar.

4. Korroziyaga chidamliligi: kislota, gidroksidi, tuz va organik reagentlar.

CVD-SIC qoplamalarining asosiy xususiyatlari: