Yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish uchun 12 dyuymli silikon gofret

Qisqacha tavsif:

VET Energy 12 dyuymli kremniy gofretlari yarimo'tkazgich ishlab chiqarish sanoatining asosiy asosiy materiallari hisoblanadi. VET Energy gofretlarning mukammal kristal sifati, past nuqson zichligi va yuqori bir xillikka ega bo'lishini ta'minlash uchun ilg'or CZ o'sish texnologiyasidan foydalanadi, bu sizning yarimo'tkazgich qurilmalaringiz uchun mustahkam va ishonchli substratni ta'minlaydi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring PDF sifatida yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

VET Energy tomonidan taklif etilayotgan yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish uchun 12 dyuymli Silicon Gofret yarimo'tkazgich sanoatida talab qilinadigan aniq standartlarga javob beradigan tarzda ishlab chiqilgan. Bizning qatorimizdagi yetakchi mahsulotlardan biri sifatida VET Energy ushbu gofretlarning tekisligi, tozaligi va sirt sifati bilan ishlab chiqarilishini ta'minlaydi va bu ularni yarimo'tkazgichlar, jumladan, mikrochiplar, sensorlar va ilg'or elektron qurilmalar uchun ideal qiladi.

Ushbu gofret Si Wafer, SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate va Epi Gofret kabi keng assortimentdagi materiallarga mos keladi va turli ishlab chiqarish jarayonlari uchun mukammal ko'p qirralilikni ta'minlaydi. Bundan tashqari, u Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Wafer kabi ilg'or texnologiyalar bilan yaxshi mos keladi, bu esa uni yuqori ixtisoslashgan ilovalarga integratsiyalashuvini ta'minlaydi. To'g'ri ishlashi uchun gofret sanoat standartidagi Kassetali tizimlar bilan foydalanish uchun optimallashtirilgan bo'lib, yarimo'tkazgich ishlab chiqarishda samarali ishlov berishni ta'minlaydi.

VET Energy kompaniyasining mahsulot liniyasi faqat kremniy gofretlar bilan cheklanmaydi. Shuningdek, biz SiC Substrate, SOI Gofret, SiN Substrate, Epi Gofret va boshqalarni oʻz ichiga olgan keng assortimentdagi yarimoʻtkazgichli substrat materiallarini, shuningdek, Gallium Oxide Ga2O3 va AlN Wafer kabi yangi keng tarmoqli yarimoʻtkazgichli materiallarni taqdim etamiz. Ushbu mahsulotlar turli iste'molchilarning quvvat elektronikasi, radiochastota, sensorlar va boshqa sohalarda qo'llash ehtiyojlarini qondirishi mumkin.

Qo'llash sohalari:
•Mantiqiy chiplar:CPU va GPU kabi yuqori samarali mantiqiy chiplarni ishlab chiqarish.
•Xotira chiplari:DRAM va NAND Flash kabi xotira chiplarini ishlab chiqarish.
•Analog chiplar:ADC va DAC kabi analog chiplarni ishlab chiqarish.
•Sensorlar:MEMS sensorlari, tasvir sensorlari va boshqalar.

VET Energy mijozlarga moslashtirilgan gofret echimlari bilan ta'minlaydi va mijozlarning o'ziga xos ehtiyojlariga ko'ra turli xil qarshilik, turli kislorod miqdori, turli qalinlik va boshqa xususiyatlarga ega gofretlarni sozlashi mumkin. Bundan tashqari, biz mijozlarga ishlab chiqarish jarayonlarini optimallashtirish va mahsulot rentabelligini oshirishga yordam berish uchun professional texnik yordam va sotishdan keyingi xizmatni taqdim etamiz.

WAFERING XUSUSIYATLARI

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
Element	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6um	≤6um
Bow(GF3YFCD)-mutlaq qiymat	≤15 mkm	≤15 mkm	≤25mkm		≤15 mkm
Buzilish (GF3YFER)	≤25mkm	≤25mkm	≤40mkm		≤25mkm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2 mkm
Gofret chekkasi	Kesish

Yuzaki tugatish

*n-Pm=n-turi Pm-darajali,n-Ps=n-turi Ps-darajali,Sl=Yarim izolyatsiyalovchi

Element	8 dyuym	6 dyuym			4 dyuym
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Yuzaki tugatish	Ikki tomonlama optik jilo, Si-Face CMP
Sirt pürüzlülüğü	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm C-Face Ra≤ 0,5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm C-Face Ra≤0,5nm
Kenar chiplari	Ruxsat berilmagan (uzunligi va kengligi≥0,5 mm)
Indents	Ruxsat berilmagan
Chizishlar (Si-Face)	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri	Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri			Miqdor.≤5, Kümülatif Uzunlik≤0,5 × gofret diametri
Yoriqlar	Ruxsat berilmagan
Chetni istisno qilish	3 mm