SiC لیپت گریفائٹ ہاف مون حصہis a کلیدسیمی کنڈکٹر مینوفیکچرنگ کے عمل میں استعمال ہونے والا جزو، خاص طور پر SiC ایپیٹیکسیل آلات کے لیے۔ہم آدھے چاند کو حصہ بنانے کے لیے اپنی پیٹنٹ ٹیکنالوجی کا استعمال کرتے ہیں۔انتہائی اعلی پاکیزگی،اچھاکوٹنگیکسانیتاور ایک بہترین سروس کی زندگیکے ساتھ ساتھاعلی کیمیائی مزاحمت اور تھرمل استحکام کی خصوصیات۔
VET انرجی ہے۔ دیCVD کوٹنگ کے ساتھ اپنی مرضی کے مطابق گریفائٹ اور سلکان کاربائیڈ مصنوعات کا اصلی کارخانہ دار،فراہم کر سکتے ہیںمختلفسیمی کنڈکٹر اور فوٹو وولٹک صنعت کے لئے اپنی مرضی کے مطابق حصے۔ Oآپ کی تکنیکی ٹیم اعلی گھریلو تحقیقی اداروں سے آتی ہے، مزید پیشہ ورانہ مواد کے حل فراہم کر سکتی ہے۔آپ کے لیے
ہم مزید جدید مواد فراہم کرنے کے لیے مسلسل جدید عمل تیار کرتے ہیں،اورنے ایک خصوصی پیٹنٹ ٹیکنالوجی پر کام کیا ہے، جو کوٹنگ اور سبسٹریٹ کے درمیان تعلقات کو سخت اور لاتعلقی کا کم خطرہ بنا سکتی ہے۔
Fہماری مصنوعات کے کھانے:
1. اعلی درجہ حرارت آکسیکرن مزاحمت 1700 تک℃.
2. اعلی طہارت اورتھرمل یکسانیت
3. بہترین سنکنرن مزاحمت: تیزاب، الکلی، نمک اور نامیاتی ریجنٹس۔
4. اعلی سختی، کمپیکٹ سطح، ٹھیک ذرات.
5. طویل سروس کی زندگی اور زیادہ پائیدار
| سی وی ڈی SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC کی بنیادی جسمانی خصوصیاتکوٹنگ | |
| 性质 / جائیداد | 典型数值 / عام قدر |
| 晶体结构 / کرسٹل کی ساخت | ایف سی سی β مرحلہ多晶، 主要为 (111）取向 |
| 密度 / کثافت | 3.21 گرام/cm³ |
| 硬度 / سختی | 2500 维氏硬度（500g لوڈ） |
| 晶粒大小 / اناج کا سائز | 2~10μm |
| 纯度 / کیمیائی طہارت | 99.99995% |
| 热容 / حرارت کی صلاحیت | 640 J·kg-1· K-1 |
| 升华温度 / Sublimation درجہ حرارت | 2700℃ |
| 抗弯强度 / لچکدار طاقت | 415 MPa RT 4 پوائنٹ |
| 杨氏模量 / نوجوان کا ماڈیولس | 430 Gpa 4pt موڑ، 1300℃ |
| 导热系数 / تھرماlچالکتا | 300W·m-1· K-1 |
| 热膨胀系数 / تھرمل توسیع (CTE) | 4.5×10-6K-1 |
ہماری فیکٹری کا دورہ کرنے کے لئے آپ کو گرمجوشی سے خوش آمدید، آئیے مزید بحث کریں!
