SiC قاپلانغان گرافت يېرىم ئاي قىسمىis a ئاچقۇچيېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدا ئىشلىتىلىدىغان زاپچاس ، بولۇپمۇ SiC epitaxial ئۈسكۈنىلىرىگە ئىشلىتىلىدۇ.بىز پاتېنتلىق تېخنىكىمىزنى ئىشلىتىپ يېرىم ئاينى بىللە قىلىمىزئىنتايىن يۇقىرى ساپلىق ،ياخشىسىربىردەكلىكىۋە ئەلا مۇلازىمەت ھاياتى، شۇنداقلايۇقىرى خىمىيىلىك قارشىلىق ۋە ئىسسىقلىق مۇقىملىقى.
VET Energy is theCVD سىرلانغان خاسلاشتۇرۇلغان گرافت ۋە كرېمنىي كاربون مەھسۇلاتلىرىنى ھەقىقىي ئىشلەپچىقارغۇچى ،تەمىنلىيەلەيدۇھەر خىليېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە يورۇقلۇق ۋولت سانائىتىنىڭ خاسلاشتۇرۇلغان زاپچاسلىرى. Our تېخنىكا ئەترىتى دۆلەت ئىچىدىكى داڭلىق تەتقىقات ئورۇنلىرىدىن كەلگەن ، تېخىمۇ كۆپ كەسپىي ماتېرىيال ھەل قىلىش چارىسى بىلەن تەمىنلەيدۇسىز ئۈچۈن.
بىز تېخىمۇ ئىلغار ماتېرىياللار بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن داۋاملىق ئىلغار جەريانلارنى تەرەققىي قىلدۇرىمىز ،ۋەمەخسۇس پاتېنت تېخنىكىسى تەتقىق قىلىپ چىقتى ، بۇ سىر بىلەن ئاستى قەۋەت ئوتتۇرىسىدىكى باغلىنىشنى تېخىمۇ چىڭىتىپ ، ئەترەتكە ئاسان ئېرىشەلمەيدۇ.
Fمەھسۇلاتلىرىمىزنىڭ يېمەكلىكى:
1. يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئوكسىدلىنىشقا قارشى تۇرۇش كۈچى 1700 گە يېتىدۇ℃.
2. يۇقىرى ساپلىق ۋەئىسسىقلىق بىرلىكى
3. چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى: كىسلاتا ، ئىشقار ، تۇز ۋە ئورگانىك رېئاكتور.
4. قاتتىقلىق ، ئىخچام يۈز ، ئىنچىكە زەررىچىلەر.
5. ئۇزۇن ئۆمۈر كۆرۈش ۋە چىداملىق
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC نىڭ ئاساسلىق فىزىكىلىق خۇسۇسىيىتىسىر | |
| 性质 / مۈلۈك | 典型数值 / تىپىك قىممەت |
| 晶体结构 / خرۇستال قۇرۇلما | FCC β باسقۇچى多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / زىچلىقى | 3.21 g / cm³ |
| 硬度 / قاتتىقلىق | 2500 维氏硬度（ 500g يۈك） |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2 ~ 10μm |
| 纯度 / خىمىيىلىك ساپلىق | 99.99995% |
| 热容 / ئىسسىقلىق ئىقتىدارى | 640 J · kg-1· K.-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperature | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / ئەۋرىشىم كۈچ | 415 MPa RT 4-نومۇر |
| 杨氏模量 / Young 's Modulus | 430 Gpa 4pt ئەگمە ، 1300 ℃ |
| 导热系数 / Thermalئۆتكۈزۈشچانلىقى | 300W · m-1· K.-1 |
| 热膨胀系数 / ئىسسىقلىق كېڭەيتىش (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
زاۋۇتىمىزنى زىيارەت قىلىشىڭىزنى قىزغىن قارشى ئالىمىز ، داۋاملىق مۇلاھىزە قىلايلى!
