Кремний Карбид (SiC) эпитаксиаль вафер

Кыска тасвирлау:

Кремний Карбид (SiC) VET Energy-ның эпитаксиаль ваферы - киләсе буын көче һәм RF җайланмаларының таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән югары җитештерүчән субстрат. VET Energy һәр эпитаксиаль ваферның җылылык үткәрүчәнлеген, ватылу көчәнешен һәм йөртүче хәрәкәтен тәэмин итү өчен җентекләп җитештерелүен тәэмин итә, бу электр машиналары, 5G элемтә, югары эффективлык электроникасы кебек кушымталар өчен идеаль.

Безгә электрон почта җибәрегез PDF итеп йөкләү

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

VET Энергия кремний карбид (SiC) эпитаксиаль вафер - югары температуралы каршылык, югары ешлык һәм югары көч характеристикасы булган югары җитештерүчән киң полоса ярымүткәргеч материал. Бу яңа буын электр җайланмалары өчен идеаль субстрат. VET Energy алдынгы MOCVD эпитаксиаль технологиясен куллана, SiC субстратларында югары сыйфатлы SiC эпитаксиаль катламнарын үстерә, ваферның яхшы эшләвен һәм эзлеклелеген тәэмин итә.

Безнең Кремний Карбид (SiC) Эпитаксиаль Вафер Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate кебек ярымүткәргеч материаллар белән бик яхшы ярашуны тәкъдим итә. Эпитаксиаль каты катламы белән, ул Epi Wafer үсеше һәм Gallium Oxide Ga2O3 һәм AlN Wafer кебек материаллар белән интеграцияләү кебек алдынгы процессларга ярдәм итә, төрле технологияләр аша күпкырлы куллануны тәэмин итә. Сәнәгать стандартлы кассетаны эшкәртү системалары белән туры килерлек итеп эшләнгән, ул ярымүткәргеч эшкәртү мохитендә эффектив һәм тәртипле эшләрне тәэмин итә.

VET Energy продукт линиясе SiC эпитаксиаль ваферлар белән чикләнми. Без шулай ук ярымүткәргеч субстрат материалларның киң ассортиментын тәкъдим итәбез, алар арасында Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer һ.б. Вафер, киләчәктә электроника индустриясенең югары җитештерүчәнлек җайланмаларына булган ихтыяҗын канәгатьләндерү өчен.

ВАФЕРИНГ үзенчәлекләре

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет	8-дюйм	6-дюйм			4-Инч
Предмет	nP	n-Pm	n-Мәд	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6ум	≤6ум
Bowәя (GF3YFCD) - Абсолют кыйммәт	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Сугыш (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV (SBIR) -10mmx10mm	<2μм
Вафер кыры	Бевелинг

ТОРМЫШ

* n-Pm = n-тип Pm-Grade, n-Ps = n-тип Ps-Grade, Sl = Ярым-лнсуляция

Предмет	8-дюйм	6-дюйм			4-Инч
	nP	n-Pm	n-Мәд	SI	SI
Faceир өсте	Ике ягы оптик поляк, Si-Face CMP
SurfaceRoughness	(10ум х 10ум) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0,5нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Кыр чиплары	Беркем дә рөхсәт ителмәгән (озынлык һәм киңлек≥0.5 мм)
Күрсәтмәләр	Беркем дә рөхсәт ителмәгән
Сызулар (Si-Face)	Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры	Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры			Qty.≤5, Кумулятив Озынлыгы≤0.5 × вафер диаметры
Ярыклар	Беркем дә рөхсәт ителмәгән
Кыр читен чыгару	3 мм