SiP каплау ташучысы RTP / RTA өчен ярымүткәргеч җитештерү процессында кулланылган төп компонент, Тиз җылылык эшкәртү һәм аннальинг, без кремний карбид ташучысын бик югары чисталык, яхшы каплау бердәмлеге һәм искиткеч хезмәт тормышы өчен патентланган технологияне кулланабыз. шулай ук югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы.
Безнең продуктларның үзенчәлекләре:
1. 1700 up га кадәр югары температурада оксидлашуга каршы тору.
2. Purгары чисталык һәм җылылык бердәмлеге
3. Искиткеч коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
4. Highгары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
5. Озын хезмәт итү вакыты һәм ныграк
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC төп физик үзлекләрекаплау | |
| 性质 / Милек | 典型数值 / Типик кыйммәт |
| 晶体结构 / Бәллүр структурасы | FCC β фаза多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Тыгызлыгы | 3.21 г / см³ |
| 硬度 / Каты | 2500 维氏硬度（ 500г йөк） |
| 晶粒大小 / SiZe ашлыгы | 2 ~ 10μм |
| 纯度 / Химик чисталык | 99.99995% |
| 热容 / Atылылык сыйдырышлыгы | 640 J · кг-1· К.-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Флексур көч | 415 MPa RT 4 балл |
| 杨氏模量 / Яшьләр модуле | 430 Gpa 4pt бөкләнү, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермаlUcткәрүчәнлек | 300W · м-1· К.-1 |
| 热膨胀系数 / Rылылык киңәюе (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
VET Energy - махсуслаштырылган графит һәм кремний карбид продуктларын җитештерүче, SiC каплау, TaC каплау, пыяла углерод каплау, пиролитик углерод каплау һ.б. ярымүткәргеч һәм фотоволтаик индустрия өчен төрле махсуслаштырылган өлешләр китерә ала.
Безнең техник коллектив иң яхшы эчке тикшеренү институтларыннан килә, сезнең өчен профессиональ материаль чишелешләр тәкъдим итә ала.
Без тагын да алдынгы материаллар белән тәэмин итү өчен алдынгы процессларны үстерәбез, һәм эксклюзив патентланган технология эшләдек, бу каплау белән субстрат арасындагы бәйләнешне ныгыта һәм отрядка азрак китерә ала.
Сезнең заводка килүегезне җылы каршы алабыз, әйдәгез алга таба фикер алышыйк!
