Кремний карбид белән капланган сусепторa ачкычтөрле ярымүткәргеч җитештерү процессларында кулланылган компонент.Без кремний карбид белән капланган сенсор ясау өчен патентланган технологияне кулланабызбик югары чисталык,яхшыкаплаубердәмлекһәм искиткеч хезмәт тормышы, шулай укюгары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы.
VET Energy .әр сүзнеңCVD каплаулы махсуслаштырылган графит һәм кремний карбид продуктларын җитештерүче,тәэмин итә алатөрлеярымүткәргеч һәм фотоволтаик индустрия өчен махсуслаштырылган өлешләр. OСезнең техник коллектив иң яхшы эчке тикшеренү институтларыннан, профессиональ материал чишелешләрен тәкъдим итә аласезнең өчен.
Алга киткән материаллар белән тәэмин итү өчен без алдынгы процессларны өзлексез үстерәбез,һәмкаплау белән субстрат арасындагы бәйләнешне катырак һәм отрядка азрак ясарга мөмкин булган эксклюзив патентланган технология эшләделәр.
Fбезнең продуктларның ашамлыклары:
1. 1700 гә кадәр югары температурада оксидлашуга каршы тору℃.
2. Purгары чисталык һәмҗылылык бердәмлеге
3. Искиткеч коррозиягә каршы тору: кислота, алкалы, тоз һәм органик реагентлар.
4. Highгары каты, компакт өслек, нечкә кисәкчәләр.
5. Озын хезмәт итү вакыты һәм ныграк
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC төп физик үзлекләрекаплау | |
| 性质 / Милек | 典型数值 / Типик кыйммәт |
| 晶体结构 / Бәллүр структурасы | FCC β фаза多晶，主要为（111 ）取向 |
| 密度 / Тыгызлыгы | 3.21 г / см³ |
| 硬度 / Каты | 2500 维氏硬度（ 500г йөк） |
| 晶粒大小 / SiZe ашлыгы | 2 ~ 10μм |
| 纯度 / Химик чисталык | 99.99995% |
| 热容 / Atылылык сыйдырышлыгы | 640 J · кг-1· К.-1 |
| 升华温度 / Сублимация температурасы | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Флексур көч | 415 MPa RT 4 балл |
| 杨氏模量 / Яшьләр модуле | 430 Gpa 4pt бөкләнү, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ТермаlUcткәрүчәнлек | 300W · м-1· К.-1 |
| 热膨胀系数 / Rылылык киңәюе (CTE) | 4.5 × 10-6K-1 |
Сезнең заводка килүегезне җылы каршы алабыз, әйдәгез алга таба фикер алышыйк!
