VET Energy ультра югары чисталык кулланакремний карбид (SiC)химик пар парламенты белән барлыкка килә(CVD)үсү өчен чыганак материал буларакSiC кристалларыфизик пар парлары белән (ПВТ). ПВТта чыганак материалы ахачһәм орлык кристаллына сублимацияләнгән.
Qualityгары сыйфатлы җитештерү өчен югары чисталык чыганагы кирәкSiC кристаллары.
VET Energy PVT өчен зур кисәкчәләр белән тәэмин итүдә махсуслаша, чөнки Si һәм C булган газларның үз-үзеннән януы аркасында барлыкка килгән кечкенә кисәкчәләр материалына караганда тыгызлыгы зуррак. Каты фазалы синтеринг яки Si һәм C реакциясеннән аермалы буларак, ул махсус синтеринг мичен яки үсеш мичендә күп вакыт таләп итә торган адым таләп итми. Бу зур кисәкчәләр материалы даими парга әйләнү дәрәҗәсенә ия, бу эшнең бердәмлеген яхшырта.
Кереш:
1. CVD-SiC блок чыганагын әзерләгез: Беренчедән, сезгә югары сыйфатлы CVD-SiC блок чыганагын әзерләргә кирәк, ул гадәттә югары чисталык һәм югары тыгызлыкта. Бу тиешле реакция шартларында химик пар парламенты (CVD) ысулы белән әзерләнергә мөмкин.
2. Субстрат әзерләү: SiC бер кристалл үсеше өчен субстрат итеп тиешле субстратны сайлагыз. Гадәттә кулланыла торган субстрат материалларга кремний карбид, кремний нитрид һ.б. керә, алар үсә барган SiC бер кристалл белән яхшы туры килә.
3. atingылыту һәм сублимация: CVD-SiC блок чыганагын һәм субстратны югары температуралы мичкә урнаштырыгыз һәм тиешле сублимация шартларын тәэмин итегез. Сублимация - югары температурада блок чыганагы катыдан пар парына турыдан-туры үзгәрә, аннары субстрат өслегендә кабат конденсатор булып бер кристалл барлыкка килә.
4. Тиешле температураны контрольдә тоту идеаль кристалл сыйфатына һәм үсеш темпына ирешә ала.
5. Атмосфера белән идарә итү: Сублимация процессында реакция атмосферасын да контрольдә тотарга кирәк. Purгары чисталыклы инерт газы (мәсәлән, аргон) ташучы газ буларак тиешле басымны һәм чисталыкны саклап калу һәм пычраклар белән пычрануны булдырмау өчен кулланыла.
6. Бердәм кристалл үсеше: CVD-SiC блок чыганагы сублимация процессы вакытында пар фазасына күчә һәм субстрат өслегендә бер кристалл структурасын формалаштыра. SiC бер кристаллның тиз үсүенә тиешле сублимация шартлары һәм температура градиент контроле ярдәмендә ирешеп була.
Сезнең заводка килүегезне җылы каршы алабыз, әйдәгез алга таба фикер алышыйк!
