Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторы

Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторы

Эпитаксиаль Эпи Графит Баррель Суссепторыярымүткәргеч субстратларны тоту һәм җылыту өчен махсус эшләнгән ярдәм һәм җылыту җайланмасы, Deposition яки Epitaxy процесслары кебек җитештерү процессларында.

Аның структурасы гадәттә цилиндрик яки бераз баррель формасында, өслегендә берничә кесә яки вафер урнаштыру өчен платформалар бар, җылыту ысулына карап каты яки буш дизайн булырга мөмкин.

Эпитаксиаль баррель сусепторының төп функцияләре:

-Субстрат ярдәме: берничә ярымүткәргеч вафаны куркынычсыз тотып тора;
- atылылык чыганагы: җылыту аша үсеш өчен кирәк булган югары температураны тәэмин итә;
-Температураның бердәмлеге: субстратларның бердәм җылытылуын тәэмин итә;
-Ротация: гадәттә температура һәм газ бүлү бердәмлеген яхшырту өчен үсеш вакытында әйләнә.

Эпи графит баррель сусепторының эш принцибы:
- Эпитаксиаль реакторда баррель сепсепторы кирәкле температурада җылытыла (кремний эпитаксы өчен гадәттә 1000 ℃ -1200;);
- Баррель сусепторы бердәм температураны бүлүне һәм газ агымын тәэмин итү өчен әйләнә;
- Реакция газлары югары температурада таркала, субстрат өслегендә эпитаксиаль катламнар барлыкка китерә.

Кушымталар:
- Кремний эпитаксиаль үсеш өчен кулланыла
- GaAs, InP һ.б. кебек башка ярымүткәргеч материалларның эпитаксы өчен дә кулланыла.

VET Energy химик тотрыклылыкны арттыру өчен CVD-SiC капламы белән югары чисталыклы графит куллана:

VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor өстенлекләре:

- temperatureгары температураның тотрыклылыгы;
- Яхшы җылылык бердәмлеге;
- Берьюлы берничә субстрат эшкәртә ала, җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрә;
-Химик инерт, югары чисталык үсеш мохитен саклап калу.