Basınçsız sinterlenmiş silisyum karbür (SSIC)Sinterleme katkı maddeleri içeren çok ince SiC tozu kullanılarak üretilir. Diğer seramikler için tipik olan şekillendirme yöntemleri kullanılarak işlenir ve inert gaz atmosferinde 2.000 ila 2.200° C'de sinterlenir. Tane büyüklüğü < 5 um olan ince taneli versiyonların yanı sıra, tane büyüklüğü 1,5'a kadar olan kaba taneli versiyonlar mm'ler mevcuttur.

SSIC, çok yüksek sıcaklıklara (yaklaşık 1.600° C) kadar neredeyse sabit kalan ve bu gücü uzun süre koruyan yüksek mukavemetiyle öne çıkıyor!

Ürün avantajları:

Yüksek sıcaklıkta oksidasyon direnci

Mükemmel Korozyon direnci

İyi Aşınma direnci

Yüksek ısı iletkenlik katsayısı
Kendinden yağlamalı, düşük yoğunluklu
Yüksek sertlik
Özelleştirilmiş tasarım.

Teknik özellikler: