Haberler

Özel Grafit Çeşitleri
admin tarafından 24-06-17 tarihinde
Özel grafit, yüksek saflıkta, yüksek yoğunluklu ve yüksek mukavemetli bir grafit malzemesidir ve mükemmel korozyon direncine, yüksek sıcaklık stabilitesine ve mükemmel elektrik iletkenliğine sahiptir. Yüksek sıcaklıkta ısıl işlem ve yüksek basınç işleminden sonra doğal veya yapay grafitten yapılmıştır...
Devamını oku
İnce film biriktirme ekipmanının analizi – PECVD/LPCVD/ALD ekipmanının ilkeleri ve uygulamaları
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
İnce film biriktirme, yarı iletkenin ana altlık malzemesi üzerine bir film tabakasının kaplanmasıdır. Bu film, yalıtkan bileşik silikon dioksit, yarı iletken polisilikon, metal bakır vb. gibi çeşitli malzemelerden yapılabilir. Kaplama için kullanılan ekipmana ince film biriktirme adı verilir...
Devamını oku
Monokristal silikon büyümesinin kalitesini belirleyen önemli malzemeler – termal alan
admin tarafından 24-06-12 tarihinde
Monokristal silisyumun büyüme süreci tamamen termal alanda gerçekleştirilir. İyi bir termal alan, kristallerin kalitesinin iyileştirilmesine yardımcı olur ve daha yüksek bir kristalizasyon verimliliğine sahiptir. Termal alanın tasarımı büyük ölçüde sıcaklık gradyanlarındaki değişiklikleri belirler...
Devamını oku
Silisyum karbür kristal büyütme fırınının teknik zorlukları nelerdir?
admin tarafından 24-06-07 tarihinde
Kristal büyütme fırını, silisyum karbür kristal büyümesi için temel ekipmandır. Geleneksel kristalin silikon sınıfı kristal büyütme fırınına benzer. Fırın yapısı çok karmaşık değildir. Esas olarak fırın gövdesi, ısıtma sistemi, bobin iletim mekanizmasından oluşur...
Devamını oku
Silisyum karbür epitaksiyel tabakanın kusurları nelerdir?
admin tarafından 24-06-05 tarihinde
SiC epitaksiyel malzemelerin büyütülmesine yönelik temel teknoloji, öncelikle kusur kontrol teknolojisidir, özellikle de cihaz arızasına veya güvenilirliğin bozulmasına yatkın olan kusur kontrol teknolojisine yöneliktir. Epi içine uzanan substrat kusurlarının mekanizmasının incelenmesi ...
Devamını oku
Oksitlenmiş duran tahıl ve epitaksiyel büyüme teknolojisi-Ⅱ
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
2. Epitaksiyel ince film büyümesi Alt tabaka, Ga2O3 güç cihazları için fiziksel bir destek katmanı veya iletken katman sağlar. Bir sonraki önemli katman, voltaj direnci ve taşıyıcı taşınması için kullanılan kanal katmanı veya epitaksiyel katmandır. Arıza gerilimini arttırmak ve kontağı en aza indirmek için...
Devamını oku
Galyum oksit tek kristal ve epitaksiyel büyüme teknolojisi
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
Silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN) ile temsil edilen geniş bant aralıklı (WBG) yarı iletkenler geniş çapta ilgi görmüştür. İnsanların elektrikli araçlarda ve elektrik şebekelerinde silisyum karbürün uygulama olanaklarının yanı sıra galyumun uygulama olanakları konusunda da yüksek beklentileri var...
Devamını oku
Silisyum karbürün önündeki teknik engeller nelerdir?Ⅱ
admin tarafından 24-05-22 tarihinde
İstikrarlı performansa sahip, yüksek kaliteli silisyum karbür levhaların istikrarlı bir şekilde toplu olarak üretilmesindeki teknik zorluklar şunları içerir: 1) Kristallerin, 2000°C'nin üzerinde yüksek sıcaklıkta kapalı bir ortamda büyümesi gerektiğinden, sıcaklık kontrol gereksinimleri son derece yüksektir; 2) Silisyum karbürün ...
Devamını oku
Silisyum karbürün önündeki teknik engeller nelerdir?
admin tarafından 24-05-22 tarihinde
Birinci nesil yarı iletken malzemeler, entegre devre üretiminin temelini oluşturan geleneksel silikon (Si) ve germanyum (Ge) ile temsil edilir. Düşük voltaj, düşük frekans ve düşük güçlü transistörlerde ve dedektörlerde yaygın olarak kullanılırlar. Yarı iletken ürünlerin %90'ından fazlası...
Devamını oku