Haberler

Silisyum karbür epitaksiyel tabakanın kusurları nelerdir?
admin tarafından 24-06-05 tarihinde
SiC epitaksiyel malzemelerin büyütülmesine yönelik temel teknoloji, öncelikle kusur kontrol teknolojisidir, özellikle de cihaz arızasına veya güvenilirliğin bozulmasına yatkın olan kusur kontrol teknolojisine yöneliktir. Epi içine uzanan substrat kusurlarının mekanizmasının incelenmesi ...
Devamını oku
Oksitlenmiş duran tahıl ve epitaksiyel büyüme teknolojisi-Ⅱ
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
2. Epitaksiyel ince film büyümesi Alt tabaka, Ga2O3 güç cihazları için fiziksel bir destek katmanı veya iletken katman sağlar. Bir sonraki önemli katman, voltaj direnci ve taşıyıcı taşınması için kullanılan kanal katmanı veya epitaksiyel katmandır. Arıza gerilimini arttırmak ve kontağı en aza indirmek için...
Devamını oku
Galyum oksit tek kristal ve epitaksiyel büyüme teknolojisi
admin tarafından 24-05-30 tarihinde
Silisyum karbür (SiC) ve galyum nitrür (GaN) ile temsil edilen geniş bant aralıklı (WBG) yarı iletkenler geniş çapta ilgi görmüştür. İnsanların elektrikli araçlarda ve elektrik şebekelerinde silisyum karbürün uygulama olanaklarının yanı sıra galyumun uygulama olanakları konusunda da yüksek beklentileri var...
Devamını oku
Silisyum karbürün önündeki teknik engeller nelerdir?Ⅱ
admin tarafından 24-05-22 tarihinde
İstikrarlı performansa sahip, yüksek kaliteli silisyum karbür levhaların istikrarlı bir şekilde toplu olarak üretilmesindeki teknik zorluklar şunları içerir: 1) Kristallerin, 2000°C'nin üzerinde yüksek sıcaklıkta kapalı bir ortamda büyümesi gerektiğinden, sıcaklık kontrol gereksinimleri son derece yüksektir; 2) Silisyum karbürün ...
Devamını oku
Silisyum karbürün önündeki teknik engeller nelerdir?
admin tarafından 24-05-22 tarihinde
Birinci nesil yarı iletken malzemeler, entegre devre üretiminin temelini oluşturan geleneksel silikon (Si) ve germanyum (Ge) ile temsil edilir. Düşük voltaj, düşük frekans ve düşük güçlü transistörlerde ve dedektörlerde yaygın olarak kullanılırlar. Yarı iletken ürünlerin %90'ından fazlası...
Devamını oku
SiC mikro tozu nasıl yapılır?
admin tarafından 24-05-13 tarihinde
SiC tek kristali, 1:1 stokiyometrik oranda Si ve C olmak üzere iki elementten oluşan Grup IV-IV bileşik yarı iletken malzemedir. Sertliği elmastan sonra ikinci sıradadır. SiC hazırlamak için silikon oksit yönteminin karbonun azaltılması esas olarak aşağıdaki kimyasal reaksiyon formülüne dayanmaktadır...
Devamını oku
Epitaksiyel katmanlar yarı iletken cihazlara nasıl yardımcı olur?
admin tarafından 24-05-13 tarihinde
Epitaksiyel levha adının kökeni Öncelikle küçük bir kavramı yaygınlaştıralım: levha hazırlama iki ana bağlantıyı içerir: substrat hazırlama ve epitaksiyel işlem. Substrat, yarı iletken tek kristal malzemeden yapılmış bir levhadır. Substrat doğrudan gofret imalatçısına girebilir...
Devamını oku
Kimyasal buhar biriktirme (CVD) ince film biriktirme teknolojisine giriş
admin tarafından 24-05-06 tarihinde
Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD), genellikle çeşitli fonksiyonel filmler ve ince katmanlı malzemeler hazırlamak için kullanılan önemli bir ince film biriktirme teknolojisidir ve yarı iletken imalatında ve diğer alanlarda yaygın olarak kullanılır. 1. CVD'nin çalışma prensibi CVD prosesinde, bir gaz öncüsü (bir veya...
Devamını oku
Fotovoltaik yarı iletken endüstrisinin ardındaki "siyah altın" sırrı: izostatik grafite olan arzu ve bağımlılık
admin tarafından 24-05-06 tarihinde
İzostatik grafit, fotovoltaiklerde ve yarı iletkenlerde çok önemli bir malzemedir. Yerli izostatik grafit şirketlerinin hızla yükselişiyle birlikte yabancı şirketlerin Çin'deki tekeli kırıldı. Sürekli bağımsız araştırma ve geliştirme ve teknolojik atılımlarla, ...
Devamını oku