Balita

Third-generation semiconductor GaN at kaugnay na epitaxial technology maikling panimula
ng admin noong 24-06-28
1. Third-generation semiconductors Ang unang henerasyong teknolohiya ng semiconductor ay binuo batay sa mga semiconductor na materyales tulad ng Si at Ge. Ito ang materyal na batayan para sa pagbuo ng mga transistor at integrated circuit na teknolohiya. Inilatag ng unang henerasyong materyales ng semiconductor ang...
Magbasa pa
23.5 bilyon, ang super unicorn ng Suzhou ay pupunta sa IPO
ng admin noong 24-06-28
Pagkatapos ng 9 na taon ng entrepreneurship, ang Innoscience ay nakalikom ng higit sa 6 bilyong yuan sa kabuuang financing, at ang halaga nito ay umabot sa isang kahanga-hangang 23.5 bilyong yuan. Ang listahan ng mga mamumuhunan ay kasinghaba ng dose-dosenang mga kumpanya: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Magbasa pa
Paano pinapahusay ng mga produktong pinahiran ng tantalum carbide ang resistensya ng kaagnasan ng mga materyales?
ng admin noong 24-06-25
Ang Tantalum carbide coating ay isang karaniwang ginagamit na teknolohiya sa paggamot sa ibabaw na maaaring makabuluhang mapabuti ang resistensya ng kaagnasan ng mga materyales. Ang tantalum carbide coating ay maaaring ikabit sa ibabaw ng substrate sa pamamagitan ng iba't ibang paraan ng paghahanda, tulad ng chemical vapor deposition, physica...
Magbasa pa
Panimula sa ikatlong henerasyong semiconductor na GaN at kaugnay na teknolohiyang epitaxial
ng admin noong 24-06-25
1. Third-generation semiconductors Ang unang henerasyong teknolohiya ng semiconductor ay binuo batay sa mga semiconductor na materyales tulad ng Si at Ge. Ito ang materyal na batayan para sa pagbuo ng mga transistors at integrated circuit na teknolohiya. Inilatag ng unang henerasyong materyales ng semiconductor ang f...
Magbasa pa
Numerical simulation study sa epekto ng porous graphite sa paglaki ng kristal na silicon carbide
ng admin noong 24-06-18
Ang pangunahing proseso ng paglaki ng kristal ng SiC ay nahahati sa sublimation at decomposition ng mga hilaw na materyales sa mataas na temperatura, transportasyon ng mga sangkap ng gas phase sa ilalim ng pagkilos ng gradient ng temperatura, at paglago ng recrystallization ng mga sangkap ng gas phase sa seed crystal. Batay dito, ang...
Magbasa pa
Mga Uri ng Espesyal na Graphite
ng admin noong 24-06-17
Ang espesyal na grapayt ay isang mataas na kadalisayan, mataas na density at mataas na lakas na materyal na grapayt at may mahusay na paglaban sa kaagnasan, mataas na temperatura na katatagan at mahusay na kondaktibiti ng kuryente. Ito ay gawa sa natural o artipisyal na grapayt pagkatapos ng mataas na temperatura ng heat treatment at high pressure processing...
Magbasa pa
Pagsusuri ng thin film deposition equipment – ang mga prinsipyo at aplikasyon ng PECVD/LPCVD/ALD equipment
ng admin noong 24-06-12
Ang pagtitiwalag ng manipis na pelikula ay ang pahiran ng isang layer ng pelikula sa pangunahing materyal ng substrate ng semiconductor. Ang pelikulang ito ay maaaring gawin ng iba't ibang materyales, tulad ng insulating compound na silicon dioxide, semiconductor polysilicon, metal copper, atbp. Ang kagamitan na ginagamit para sa coating ay tinatawag na thin film deposition...
Magbasa pa
Mga mahahalagang materyales na tumutukoy sa kalidad ng paglago ng monocrystalline na silikon - thermal field
ng admin noong 24-06-12
Ang proseso ng paglago ng monocrystalline silicon ay ganap na isinasagawa sa thermal field. Ang isang mahusay na thermal field ay nakakatulong sa pagpapabuti ng kalidad ng mga kristal at may mas mataas na kahusayan sa pagkikristal. Ang disenyo ng thermal field ay higit na tinutukoy ang mga pagbabago sa mga gradient ng temperatura...
Magbasa pa
Ano ang mga teknikal na paghihirap ng silicon carbide crystal growth furnace?
ng admin noong 24-06-07
Ang crystal growth furnace ay ang pangunahing kagamitan para sa paglago ng kristal na silicon carbide. Ito ay katulad ng tradisyonal na mala-kristal na silikon na grade crystal growth furnace. Ang istraktura ng pugon ay hindi masyadong kumplikado. Pangunahin itong binubuo ng katawan ng pugon, sistema ng pag-init, mekanismo ng paghahatid ng coil...
Magbasa pa

<< Nakaraan 4 5 6 7 8 9 10 Susunod >>> Pahina 7 / 60

Balita

Third-generation semiconductor GaN at kaugnay na epitaxial technology maikling panimula

23.5 bilyon, ang super unicorn ng Suzhou ay pupunta sa IPO

Paano pinapahusay ng mga produktong pinahiran ng tantalum carbide ang resistensya ng kaagnasan ng mga materyales?

Panimula sa ikatlong henerasyong semiconductor na GaN at kaugnay na teknolohiyang epitaxial

Numerical simulation study sa epekto ng porous graphite sa paglaki ng kristal na silicon carbide

Mga Uri ng Espesyal na Graphite

Pagsusuri ng thin film deposition equipment – ang mga prinsipyo at aplikasyon ng PECVD/LPCVD/ALD equipment

Mga mahahalagang materyales na tumutukoy sa kalidad ng paglago ng monocrystalline na silikon - thermal field

Ano ang mga teknikal na paghihirap ng silicon carbide crystal growth furnace?

Paano nakakamit ng mga bagong sasakyang pang-enerhiya ang vacuum...

Bakit tayo gumagamit ng UV tape para sa wafer dicing? |...

Wafer warpage, ano ang gagawin?

Bakit ang rate ng reaksyon ng Si at NaOH ay f...

Bakit ang silicon ay napakatigas ngunit napakarupok?